Yole Development的市場調(diào)查報告表明，自硅功率半導(dǎo)體器件誕生以來，應(yīng)用需求一直推動著結(jié)溫的升高，目前已達到150℃。

第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件（如SiC）已走過了從出現(xiàn)發(fā)展到已日趨成熟并全面商業(yè)化普及的路徑，其獨特的耐高溫性能正在推動結(jié)溫加速從目前的150℃邁向175℃，未來將進軍200℃。

采用針翅基板（Pin Fin Baseplate）的新型液冷IPM功率模塊（CXT－PLA3SA450AA），此次我們還推出了具有更高電流能力的針翅基板，以及液冷IPM功率模塊（CXT－PLA3SA550CA）.

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PG-TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續(xù)漏極電流: 60 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 9.8 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V

Qg-柵極電荷: 22 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

長度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 5

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 28 S

下降時間: 4 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 5 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 17 ns

典型接通延遲時間: 10 ns

零件號別名: SP001241598 BSC098N10NS5ATMA1

單位重量: 100 mg

器件具有高度線性度,整個衰減范圍內(nèi)IIP3大于+34.4dBm,輸入P1dB為+21.8dBm.采用36引腳6mmx6mmx0,8mm TQFN封裝,工作溫度為-40NC到+100NC.

主要用在寬帶系統(tǒng)包括無線基礎(chǔ)設(shè)備數(shù)字和擴頻通信系統(tǒng), WCDMA/LTE, TD-SCDMA/TD-LTE, WiMAX®, cdma2000®, GSM/EDGE和MMDS基站,VSAT/衛(wèi)星地面調(diào)制解調(diào)器,微波點對點系統(tǒng),溫度補償電路,自動增益控制(ALC),發(fā)送器增益控制,接收器增益控制和通用測試設(shè)備.