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CAN-FD接口低等待時(shí)間驅(qū)動(dòng)網(wǎng)關(guān)應(yīng)用微小的功耗

發(fā)布時(shí)間:2021/4/28 7:19:33 訪問次數(shù):719

多種音頻和麥克風(fēng)接口用于身臨其境的音頻和視頻系統(tǒng).至于工業(yè)應(yīng)用,實(shí)時(shí)控制采用集成的800 MHz Arm® Cortex®-M7來實(shí)現(xiàn).

強(qiáng)大的控制網(wǎng)絡(luò)通過CAN-FD接口來實(shí)現(xiàn).器件還有兩個(gè)吉比特以太網(wǎng),一個(gè)支持時(shí)間敏感網(wǎng)絡(luò)(TSN),低等待時(shí)間驅(qū)動(dòng)網(wǎng)關(guān)應(yīng)用.

主要用在麻醉監(jiān)護(hù)儀,異常檢測(cè),航空航天電子設(shè)備,除顫器,建筑物安全,電網(wǎng)和分配,工廠自動(dòng)化,醫(yī)療圖像,家庭自動(dòng)化和家庭財(cái)服務(wù)器,以及安防和監(jiān)護(hù).

制造商:    Infineon    

產(chǎn)品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細(xì)信息  

技術(shù):    Si    

安裝風(fēng)格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    PG-TDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數(shù)量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    80 V    

Id-連續(xù)漏極電流:    55 A    

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:    12.3 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    2 V    

Qg-柵極電荷:    19 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    66 W    

通道模式:    Enhancement    

商標(biāo)名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.27 mm  

長(zhǎng)度:   5.9 mm  

系列:   OptiMOS 3  

晶體管類型:   1 N-Channel  

寬度:   5.15 mm  

商標(biāo):   Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值:   22 S  

開發(fā)套件:   EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7  

下降時(shí)間:   4 ns  

產(chǎn)品類型:   MOSFET  

上升時(shí)間:   18 ns  

工廠包裝數(shù)量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:   19 ns  

典型接通延遲時(shí)間:   12 ns  

零件號(hào)別名:  BSC123N08NS3 G SP000443916  

單位重量:  172 mg

出色的擦除時(shí)間,加上低功耗高速運(yùn)行,將大大減少任何系統(tǒng)中消耗的總電能。這使得該系列閃存器件非常適合幫助延長(zhǎng)小型電池供電的IoT設(shè)備的運(yùn)行時(shí)間。

該系列產(chǎn)品提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低功耗高速讀取操作,并且僅以微小的功耗實(shí)現(xiàn)顯著更快的擦除時(shí)間。

例如,2Mbit AT25EU0021A可在10ms以內(nèi)執(zhí)行整顆芯片的擦除,而消耗的電能低于競(jìng)爭(zhēng)方案所需的1%。競(jìng)爭(zhēng)方案可能需要整整1秒或更長(zhǎng)的時(shí)間來執(zhí)行相同的操作。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

多種音頻和麥克風(fēng)接口用于身臨其境的音頻和視頻系統(tǒng).至于工業(yè)應(yīng)用,實(shí)時(shí)控制采用集成的800 MHz Arm® Cortex®-M7來實(shí)現(xiàn).

強(qiáng)大的控制網(wǎng)絡(luò)通過CAN-FD接口來實(shí)現(xiàn).器件還有兩個(gè)吉比特以太網(wǎng),一個(gè)支持時(shí)間敏感網(wǎng)絡(luò)(TSN),低等待時(shí)間驅(qū)動(dòng)網(wǎng)關(guān)應(yīng)用.

主要用在麻醉監(jiān)護(hù)儀,異常檢測(cè),航空航天電子設(shè)備,除顫器,建筑物安全,電網(wǎng)和分配,工廠自動(dòng)化,醫(yī)療圖像,家庭自動(dòng)化和家庭財(cái)服務(wù)器,以及安防和監(jiān)護(hù).

制造商:    Infineon    

產(chǎn)品種類:    MOSFET    

RoHS:    詳細(xì)信息  

技術(shù):    Si    

安裝風(fēng)格:    SMD/SMT    

封裝 / 箱體:    PG-TDSON-8    

晶體管極性:    N-Channel    

通道數(shù)量:    1 Channel    

Vds-漏源極擊穿電壓:    80 V    

Id-連續(xù)漏極電流:    55 A    

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:    12.3 mOhms    

Vgs - 柵極-源極電壓:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-柵源極閾值電壓:    2 V    

Qg-柵極電荷:    19 nC    

最小工作溫度:    - 55 C    

最大工作溫度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    66 W    

通道模式:    Enhancement    

商標(biāo)名:    OptiMOS    

封裝:    Cut Tape    

封裝:    MouseReel    

封裝:    Reel    

配置:   Single  

高度:   1.27 mm  

長(zhǎng)度:   5.9 mm  

系列:   OptiMOS 3  

晶體管類型:   1 N-Channel  

寬度:   5.15 mm  

商標(biāo):   Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值:   22 S  

開發(fā)套件:   EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7  

下降時(shí)間:   4 ns  

產(chǎn)品類型:   MOSFET  

上升時(shí)間:   18 ns  

工廠包裝數(shù)量:   5000  

子類別:   MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:   19 ns  

典型接通延遲時(shí)間:   12 ns  

零件號(hào)別名:  BSC123N08NS3 G SP000443916  

單位重量:  172 mg

出色的擦除時(shí)間,加上低功耗高速運(yùn)行,將大大減少任何系統(tǒng)中消耗的總電能。這使得該系列閃存器件非常適合幫助延長(zhǎng)小型電池供電的IoT設(shè)備的運(yùn)行時(shí)間。

該系列產(chǎn)品提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低功耗高速讀取操作,并且僅以微小的功耗實(shí)現(xiàn)顯著更快的擦除時(shí)間。

例如,2Mbit AT25EU0021A可在10ms以內(nèi)執(zhí)行整顆芯片的擦除,而消耗的電能低于競(jìng)爭(zhēng)方案所需的1%。競(jìng)爭(zhēng)方案可能需要整整1秒或更長(zhǎng)的時(shí)間來執(zhí)行相同的操作。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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