柔性電路板芯片16V輸18W輸出高效降壓/升壓轉(zhuǎn)換器
發(fā)布時(shí)間:2021/4/28 8:39:03 訪問次數(shù):246
與早期的AS5850A設(shè)備一樣,AS585xB產(chǎn)品也達(dá)到了應(yīng)用于醫(yī)療設(shè)備的讀取IC的行業(yè)最高性能基準(zhǔn)。
現(xiàn)在,‘B’系列產(chǎn)品還采用了全新柔性電路板芯片標(biāo)準(zhǔn)封裝設(shè)計(jì):該設(shè)計(jì)在低密度側(cè)有一層增強(qiáng)件,使其與標(biāo)準(zhǔn)連接器兼容。
這為圖像設(shè)備制造商提供了一個(gè)更靈活的選項(xiàng),因?yàn)锳S5850A有一個(gè)專有連接器需要采用昂貴的異方性導(dǎo)電膠膜(ACF)粘合工藝。
柔性AS585xB電路板可以手動(dòng)組裝到數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中,而無需采用昂貴、復(fù)雜的ACF粘合工藝。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 40 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 19.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 17 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 78 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.27 mm
長度: 5.9 mm
系列: OptiMOS 2
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 18 S
下降時(shí)間: 4 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 21 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 16 ns
典型接通延遲時(shí)間: 11 ns
零件號(hào)別名: BSC252N1NSFGXT SP000379608 BSC252N10NSFGATMA1
單位重量: 120.780 mg

MAX77831是2.5V到16V輸入18W輸出高效降壓/升壓轉(zhuǎn)換器.
采用內(nèi)部反饋電阻時(shí),器件默認(rèn)輸出電壓為5V,采用外接反饋電阻時(shí)可配置成3V至此5V間的任何輸出電壓.輸出電壓可通過I2C串口動(dòng)態(tài)進(jìn)行調(diào)整.
MAX77831工作在強(qiáng)迫PWM(FPWM)模式.器件默認(rèn)開關(guān)頻率為1.8MHz,通過I2C接口可選擇為1.5MHz和1.2MHz.
器件的保護(hù)特性有欠壓鎖住(UVLO),過流保護(hù)(OCP),過壓保護(hù)(OVP)和熱關(guān)斷(THS).
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
與早期的AS5850A設(shè)備一樣,AS585xB產(chǎn)品也達(dá)到了應(yīng)用于醫(yī)療設(shè)備的讀取IC的行業(yè)最高性能基準(zhǔn)。
現(xiàn)在,‘B’系列產(chǎn)品還采用了全新柔性電路板芯片標(biāo)準(zhǔn)封裝設(shè)計(jì):該設(shè)計(jì)在低密度側(cè)有一層增強(qiáng)件,使其與標(biāo)準(zhǔn)連接器兼容。
這為圖像設(shè)備制造商提供了一個(gè)更靈活的選項(xiàng),因?yàn)锳S5850A有一個(gè)專有連接器需要采用昂貴的異方性導(dǎo)電膠膜(ACF)粘合工藝。
柔性AS585xB電路板可以手動(dòng)組裝到數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中,而無需采用昂貴、復(fù)雜的ACF粘合工藝。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 40 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 19.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 17 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 78 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.27 mm
長度: 5.9 mm
系列: OptiMOS 2
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 18 S
下降時(shí)間: 4 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 21 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 16 ns
典型接通延遲時(shí)間: 11 ns
零件號(hào)別名: BSC252N1NSFGXT SP000379608 BSC252N10NSFGATMA1
單位重量: 120.780 mg

MAX77831是2.5V到16V輸入18W輸出高效降壓/升壓轉(zhuǎn)換器.
采用內(nèi)部反饋電阻時(shí),器件默認(rèn)輸出電壓為5V,采用外接反饋電阻時(shí)可配置成3V至此5V間的任何輸出電壓.輸出電壓可通過I2C串口動(dòng)態(tài)進(jìn)行調(diào)整.
MAX77831工作在強(qiáng)迫PWM(FPWM)模式.器件默認(rèn)開關(guān)頻率為1.8MHz,通過I2C接口可選擇為1.5MHz和1.2MHz.
器件的保護(hù)特性有欠壓鎖住(UVLO),過流保護(hù)(OCP),過壓保護(hù)(OVP)和熱關(guān)斷(THS).
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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