1EDI20I12AH(1EDIxxI12AH和1EDIxxH12AH)是通用IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,基本控制和保護(hù)特性支持高度可靠系統(tǒng)的快速和容易設(shè)計(jì).

控制輸入邏輯和驅(qū)動(dòng)輸出級(jí)間集成電流隔離大大增強(qiáng)了安全性.寬輸入電壓源支持各種信號(hào)源如DSP和器件適用于600V/650V/1200V IGBT和MOSFET,軌到軌輸出時(shí)高達(dá)10A峰值電流,可分離的源和沉輸出,無(wú)鐵芯變壓器驅(qū)動(dòng)器電流隔離,寬輸入電壓工作范圍,適合于工作在高環(huán)境溫度.

器件集成功率管理模塊和DC/DC轉(zhuǎn)換器與LDO,從而降低了外接電源的復(fù)雜性和簡(jiǎn)化了加電次序.

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V

Id-連續(xù)漏極電流: 50 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 19 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 23 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 125 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.27 mm

長(zhǎng)度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 29 S

下降時(shí)間: 6 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 53 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 25 ns

典型接通延遲時(shí)間: 15 ns

零件號(hào)別名: BSC190N15NS3 G SP000416636

單位重量: 100 mg

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AS5852B在低功耗運(yùn)行方面進(jìn)行了優(yōu)化，使電池供電的便攜式成像設(shè)備能夠在延長(zhǎng)電池使用時(shí)間的同時(shí)獲取高質(zhì)量的影像。

而新型AS5851B則在功率和速度的優(yōu)化之間實(shí)現(xiàn)了平衡。

AS585xB系列的所有三個(gè)版本都采用相同的尺寸和引腳分配，因此FPD制造商可以通過(guò)單一電路板設(shè)計(jì)和主機(jī)系統(tǒng)接口輕松地構(gòu)建出一系列產(chǎn)品，以滿足不同客戶或細(xì)分市場(chǎng)的需求。

艾邁斯半導(dǎo)體可以根據(jù)客戶的具體需求提供具有相應(yīng)柔性設(shè)計(jì)的AS585x系列讀出IC。

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