借助仿真軟件，TDK還能根據(jù)客戶指定的頻譜、最大電流和安裝方式等參數(shù)計算電容器的熱反應(yīng)，并能評估可能出現(xiàn)的熱點(diǎn)位置。

必要時，我們可將評估結(jié)果附加在型式認(rèn)證中。

這樣能為客戶帶來極大優(yōu)勢，如無需復(fù)雜和冗長的測試和重新設(shè)計工作，大幅縮短了產(chǎn)品上市時間，從而贏得明顯的競爭優(yōu)勢。

電容器內(nèi)部的溫度分布仿真。在示例中，最低溫度與最高溫度之間的溫差約為20 K。

制造商:Micron Technology 產(chǎn)品種類:NOR閃存 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:VFDFPN-8 系列: 存儲容量:64 Mbit 電源電壓-最小:2.7 V 電源電壓-最大:3.6 V 有源讀取電流（最大值）:8 mA 接口類型:SPI 最大時鐘頻率:75 MHz 組織:8 M x 8 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 定時類型:Synchronous 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 存儲類型:NOR 速度:75 MHz 商標(biāo):Micron 電源電流—最大值:8 mA 產(chǎn)品類型:NOR Flash 標(biāo)準(zhǔn):Not Supported 4000 子類別:Memory & Data Storage

ModCap采用并聯(lián)的扁平繞組結(jié)構(gòu)設(shè)計，并填充聚氨酯樹脂。

這種設(shè)計使其能盡可能靠近 IGBT 模塊安裝，最大限度縮短了引線。加上低至 14 nH 的超低自感，可確保在斷電時有效防止 IGBT 模塊上出現(xiàn)明顯電壓過沖。

一般情況下就無需額外的緩沖電容器，從而能減小空間需求并降低新型逆變器的設(shè)計成本。

器件具有輸入欠壓鎖住保護(hù),短路保護(hù),輸出過壓保護(hù),過流保護(hù)和熱關(guān)斷保護(hù).工作溫度-40C +125C.主要用在汽車設(shè)備和其它電子設(shè)備.

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）