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全新的功率GaN FET 35mΩ(典型值)的RDS(on)性能

發(fā)布時(shí)間:2021/4/29 21:58:25 訪問次數(shù):321

全新FemtoClock2解決方案與瑞薩小型、單輸出、高性能振蕩器,或更廣泛的ClockMatrixTM系列時(shí)鐘解決方案相結(jié)合,以滿足高性能服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計(jì)中對時(shí)鐘產(chǎn)品的嚴(yán)苛要求。

FemtoClock2也可與新近推出的基于IEEE1588協(xié)議的PTP Clock Manager無縫結(jié)合, 亦可與瑞薩豐富的電源、微控制器相結(jié)合, 開發(fā)多種應(yīng)用, 如IEEE1588成功產(chǎn)品組合等。

FemtoClock2作為下游時(shí)鐘,能夠在不中斷同步的情況下在引腳上實(shí)現(xiàn)100fs低抖動(dòng)。

制造商:Rectron 產(chǎn)品種類:穩(wěn)壓二極管 Vz - 齊納電壓:22 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 Pd-功率耗散:350 mW 電壓溫度系數(shù):20 mV/C Zz - 齊納阻抗:55 Ohms 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C 配置:Single 測試電流:5 mA 封裝:Reel 高度:1.1 mm 長度:3.05 mm 寬度:1.4 mm 商標(biāo):Rectron Ir - 反向電流 :0.1 uA 產(chǎn)品類型:Zener Diodes 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:Diodes & Rectifiers Vf - 正向電壓:900 mV

650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術(shù)和競爭對手器件相比,新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢。

全新的功率GaN FET具有低至35mΩ(典型值)的RDS(on)性能,適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關(guān)模式電源(SMPS),特別是必須滿足80 PLUS®鈦金級效率認(rèn)證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。

該器件也非常適合相同功率范圍內(nèi)的太陽能逆變器和伺服驅(qū)動(dòng)器。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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FemtoClock2也可與新近推出的基于IEEE1588協(xié)議的PTP Clock Manager無縫結(jié)合, 亦可與瑞薩豐富的電源、微控制器相結(jié)合, 開發(fā)多種應(yīng)用, 如IEEE1588成功產(chǎn)品組合等。

FemtoClock2作為下游時(shí)鐘,能夠在不中斷同步的情況下在引腳上實(shí)現(xiàn)100fs低抖動(dòng)。

制造商:Rectron 產(chǎn)品種類:穩(wěn)壓二極管 Vz - 齊納電壓:22 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 Pd-功率耗散:350 mW 電壓溫度系數(shù):20 mV/C Zz - 齊納阻抗:55 Ohms 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C 配置:Single 測試電流:5 mA 封裝:Reel 高度:1.1 mm 長度:3.05 mm 寬度:1.4 mm 商標(biāo):Rectron Ir - 反向電流 :0.1 uA 產(chǎn)品類型:Zener Diodes 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:Diodes & Rectifiers Vf - 正向電壓:900 mV

650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術(shù)和競爭對手器件相比,新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢。

全新的功率GaN FET具有低至35mΩ(典型值)的RDS(on)性能,適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關(guān)模式電源(SMPS),特別是必須滿足80 PLUS®鈦金級效率認(rèn)證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。

該器件也非常適合相同功率范圍內(nèi)的太陽能逆變器和伺服驅(qū)動(dòng)器。

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