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ITU-T G.8262和G.8262.1標(biāo)準(zhǔn)用于增強(qiáng)型同步以太網(wǎng)/OTN

發(fā)布時間:2021/4/29 21:55:37 訪問次數(shù):1130

切換器配有錯誤處理、先進(jìn)的錯誤報告等功能,以及帶有糾錯功能的端到端數(shù)據(jù)保護(hù)功能,這是可靠性、可用性與服務(wù)性 (RAS) 方面的關(guān)鍵功能。

先進(jìn)的電源管理能力,代表這款切換器符合最嚴(yán)格的節(jié)能要求。在熱插入埠未使用時,將維持在低功耗狀態(tài)。在滿載條件和 80°C 的接面溫度下,PI7C9X3G808GP 的功耗僅為 2.9W。

Diodes Incorporated 的PI7C9X3G808GP采用 196 球 BGA 格式高效能覆晶封裝方式,尺寸為 15mm x 15mm。

制造商:Taiwan Semiconductor 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-323-3 晶體管極性:NPN 封裝:Reel 技術(shù):Si 商標(biāo):Taiwan Semiconductor 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:Transistors 單位重量:8 mg

制造商:ON Semiconductor 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-

FemtoClock2產(chǎn)品家族的關(guān)鍵特性

抖動低至64fs(典型值)RMS

600mW低功耗

采用24和28引腳,4mm x 4mm QFN封裝

具有四個差分輸出的單、雙輸入選項(xiàng)

電源噪聲抑制優(yōu)于-80dB

輸出到輸出隔離為-80dBc

符合ITU-T G.8262和G.8262.1標(biāo)準(zhǔn),用于增強(qiáng)型同步以太網(wǎng)/OTN

集成晶體選件,可節(jié)省更多空間


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

切換器配有錯誤處理、先進(jìn)的錯誤報告等功能,以及帶有糾錯功能的端到端數(shù)據(jù)保護(hù)功能,這是可靠性、可用性與服務(wù)性 (RAS) 方面的關(guān)鍵功能。

先進(jìn)的電源管理能力,代表這款切換器符合最嚴(yán)格的節(jié)能要求。在熱插入埠未使用時,將維持在低功耗狀態(tài)。在滿載條件和 80°C 的接面溫度下,PI7C9X3G808GP 的功耗僅為 2.9W。

Diodes Incorporated 的PI7C9X3G808GP采用 196 球 BGA 格式高效能覆晶封裝方式,尺寸為 15mm x 15mm。

制造商:Taiwan Semiconductor 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-323-3 晶體管極性:NPN 封裝:Reel 技術(shù):Si 商標(biāo):Taiwan Semiconductor 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:Transistors 單位重量:8 mg

制造商:ON Semiconductor 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-

FemtoClock2產(chǎn)品家族的關(guān)鍵特性

抖動低至64fs(典型值)RMS

600mW低功耗

采用24和28引腳,4mm x 4mm QFN封裝

具有四個差分輸出的單、雙輸入選項(xiàng)

電源噪聲抑制優(yōu)于-80dB

輸出到輸出隔離為-80dBc

符合ITU-T G.8262和G.8262.1標(biāo)準(zhǔn),用于增強(qiáng)型同步以太網(wǎng)/OTN

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