Arm® M3 的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器每個(gè)陣列擁有數(shù)百甚至數(shù)千根天線(xiàn)

發(fā)布時(shí)間:2021/4/30 20:54:11 訪問(wèn)次數(shù):450

HVC 4222F 和 HVC 4422F 屬于基于 Arm® M3 的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，具有 32k 和 64k 兩種閃存

完全指定，經(jīng)過(guò)高達(dá) 160°C 結(jié)溫測(cè)試

目標(biāo)應(yīng)用包括汽車(chē)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和熱管理系統(tǒng)

TDK Corporation對(duì)其 Micronas 嵌入式電機(jī)控制器系列產(chǎn)品進(jìn)行了擴(kuò)展，以實(shí)現(xiàn)高溫環(huán)境應(yīng)用。

HVC 4222F 具有 32k 閃存，而 HVC 4422F 則具有 64k 閃存，可應(yīng)用于更加復(fù)雜的軟件。這些高溫裝置主要應(yīng)用于內(nèi)燃機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，以及新興的電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車(chē)熱管理系統(tǒng)。

制造商:ON Semiconductor 產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:100 V Id-連續(xù)漏極電流:170 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:6 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:800 mV Qg-柵極電荷:2.5 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:300 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.2 mm 長(zhǎng)度:2.9 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 晶體管類(lèi)型:1 N-Channel 類(lèi)型:FET 寬度:1.3 mm 商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild 正向跨導(dǎo) - 最小值:0.8 S 下降時(shí)間:9 ns 產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET 上升時(shí)間:9 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類(lèi)別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:17 ns 典型接通延遲時(shí)間:1.7 ns 零件號(hào)別名:BSS123_NL 單位重量:30 mg

碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）器件：WolfspeedCMPA901A020S、CMPA9396025S、CMPA801B030 系列。器件采用MMIC技術(shù)，具備研發(fā)部署大型雷達(dá)系統(tǒng)所需的小型化、高效率、高可靠性、以及優(yōu)異的功率密度等特點(diǎn)，可有效應(yīng)對(duì)大型雷達(dá)所面臨的挑戰(zhàn)。

有源電子掃描陣列（AESA）系統(tǒng)愈來(lái)愈受到研發(fā)的青睞，該系統(tǒng)主要運(yùn)用于大型機(jī)載平臺(tái)上，同時(shí)在陸地和海事細(xì)分市場(chǎng)也有采用。

AESA 系統(tǒng)使用有源陣列，每個(gè)陣列擁有數(shù)百甚至數(shù)千根天線(xiàn)。