“S-5701 B系列”是一種TMR傳感器IC。

與各向異性磁阻(AMR)或巨磁阻(GMR)傳感器IC等其他MR傳感器IC不同，它具有高靈敏度和超低電流消耗(160nA)的 特點(diǎn)，使其成為一款解決傳統(tǒng)磁簧開關(guān)局限性的創(chuàng)新產(chǎn)品。

ABLIC為用于檢測(cè)水平磁場(chǎng)的“小巧、智能、簡(jiǎn)單”的產(chǎn)品系列增加了一種新的“S-5701 B系列”TMR傳感器IC產(chǎn)品，可以提供給尋求磁簧開關(guān)替代品的客戶，以進(jìn)一步擴(kuò)大我們的客戶群。

S-5701 B系列的主要特點(diǎn)使用3.3V電源電壓時(shí)，IC的平均電流消耗為160nA.

分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包裝

卷帶（TR）

剪切帶（CT）

Digi-Reel®

零件狀態(tài)

有源

FET 類型

N 通道

技術(shù)

MOSFET（金屬氧化物）

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)

87A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）

8V，10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）

9.3 毫歐 @ 44A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）

4.6V @ 107μA

Vgs（最大值）

±20V

FET 功能

功率耗散（最大值）

139W（Tc）

工作溫度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型

表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝

PG-TDSON-8-7

新一代nvSRAM擴(kuò)展了英飛凌在電荷阱型存儲(chǔ)器領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。

我們nvSRAM系列中新增的這些符合QML-Q規(guī)范的高可靠性工業(yè)用器件證明了我們致力于為需要高性能、高可靠性存儲(chǔ)器的惡劣工作環(huán)境提供解決方案。

英飛凌的nvSRAM技術(shù)將高性能SRAM與一流的SONOS非易失性技術(shù)相結(jié)合。

在正常工作條件下，nvSRAM的作用類似于傳統(tǒng)的異步SRAM。斷電時(shí)，nvSRAM會(huì)自動(dòng)將SRAM數(shù)據(jù)的副本保存到非易失性存儲(chǔ)器中，該數(shù)據(jù)的保護(hù)期限超過20年。

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