DL950是DL850和DL850V示波記錄儀系列（2010年發(fā)布）的升級產(chǎn)品，提高了功能性和可操作性。

兩個新的輸入模塊：720212（能夠以200MS/s的采樣速度讀取數(shù)據(jù)）和720256（能夠以10MS/s的采樣速度從四個輸入通道讀取數(shù)據(jù)）。

閃存采集功能，用于在嵌入式非易失性存儲器中存儲高采樣率數(shù)據(jù)。

示波記錄儀系列（包含便攜式機型DL350和系統(tǒng)專用機型SL1000）中的高端機型，DL950將有助于提高汽車、機電一體化和電子行業(yè)新產(chǎn)品開發(fā)的效率。

分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET，MOSFET - 單個

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

包裝

卷帶（TR）

剪切帶（CT）

Digi-Reel®

零件狀態(tài)

停產(chǎn)

FET 類型

N 通道

技術(shù)

MOSFET（金屬氧化物）

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)

9.5A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）

2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）

9 毫歐 @ 13.5A，4.5V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）

1.4V @ 250μA

Vgs（最大值）

±12V

FET 功能

功率耗散（最大值）

1.5W（Ta）

工作溫度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型

表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝

8-SO

封裝/外殼

8-SOIC（0.154""，3.90mm 寬）

漏源電壓（Vdss）

20V

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）

60nC @ 4.5V

基本產(chǎn)品編號

SI4466

每秒30幀的速度和70° x 55°的視場角，讓第二代微鏡繼續(xù)成為3D掃描和檢測應(yīng)用的標(biāo)桿。

與英特爾長期的微鏡供貨關(guān)系表明，我們始終在不斷地研發(fā)MEMS產(chǎn)品，利用我們長期領(lǐng)先的市場地位，滿足客戶嚴格的技術(shù)和供貨要求。

通過意法半導(dǎo)體MEMS的掃描功能，L515無需插值像素就能提供高分辨率的深度圖和可控視場角，通過50nS的快速曝光時間可實現(xiàn)接近零像素模糊。

Intel® RealSense™ 技術(shù)已用于開發(fā)機器人、物流、掃描產(chǎn)品和解決方案以及其他的計算機視覺應(yīng)用。

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