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阻抗反射可按K2的因數(shù)內(nèi)部總線消除輸入/輸出(I/O)

發(fā)布時(shí)間:2021/5/3 10:33:59 訪問(wèn)次數(shù):985

ADSP-2156x系列SHARC處理器是基于SHARC+®單核,具有Super Harvard架構(gòu),是32位/40位/64位浮點(diǎn)處理器,具有大容量片上SRAM,多種內(nèi)部總線消除輸入/輸出(I/O)瓶頸,具有創(chuàng)新的數(shù)字音頻接口(DAI),最適合用在高性能音頻/浮點(diǎn)應(yīng)用.

SHARC+處理核新增加的功能包括緩存增強(qiáng)功能和分支預(yù)測(cè),而同時(shí)保持了以前SHARC產(chǎn)品的指令集功能.SHARC+處理器集成了豐富的業(yè)界一流系統(tǒng)外設(shè)和存儲(chǔ)器,是需要相似于精簡(jiǎn)指令集(RISC)編程的應(yīng)用平臺(tái)的選擇,并支持多媒體和一流邊沿信號(hào)處理.

制造商:ROHM Semiconductor 產(chǎn)品種類(lèi):雙極晶體管 - 預(yù)偏置 配置:Single 晶體管極性:PNP 典型輸入電阻器:1 kOhms 典型電阻器比率:0.1 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-59-3 直流集電極/Base Gain hfe Min:56 集電極連續(xù)電流:- 500 mA 峰值直流集電極電流:500 mA Pd-功率耗散:200 mW 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 系列: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:56 高度:1.1 mm 長(zhǎng)度:2.9 mm 寬度:1.6 mm 商標(biāo):ROHM Semiconductor 產(chǎn)品類(lèi)型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased 3000 子類(lèi)別:Transistors 零件號(hào)別名:DTB113ZK 單位重量:8 mg

阻抗反射可按K2 的因數(shù)降低有效電源的阻抗,從而可減少所需的電容。

即使在低電壓系統(tǒng)中,如最初示例中的兩個(gè)移動(dòng)機(jī)器人,也可利用阻抗反射效應(yīng)來(lái)最大限度提高儲(chǔ)能元件(如大型旁路電容器、EMI 濾波器和其它電路參數(shù)等)的效用。

考慮在大型機(jī)器人框架間配送高電壓,然后將其轉(zhuǎn)換為低電壓用于諸如伺服驅(qū)動(dòng)器或人工智能處理器等高動(dòng)態(tài)負(fù)載的 770V 自動(dòng)駕駛汽車(chē)系統(tǒng):從負(fù)載角度回顧電源,除了所有配電阻抗外,電池阻抗似乎都會(huì)遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于實(shí)際阻抗。



(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

ADSP-2156x系列SHARC處理器是基于SHARC+®單核,具有Super Harvard架構(gòu),是32位/40位/64位浮點(diǎn)處理器,具有大容量片上SRAM,多種內(nèi)部總線消除輸入/輸出(I/O)瓶頸,具有創(chuàng)新的數(shù)字音頻接口(DAI),最適合用在高性能音頻/浮點(diǎn)應(yīng)用.

SHARC+處理核新增加的功能包括緩存增強(qiáng)功能和分支預(yù)測(cè),而同時(shí)保持了以前SHARC產(chǎn)品的指令集功能.SHARC+處理器集成了豐富的業(yè)界一流系統(tǒng)外設(shè)和存儲(chǔ)器,是需要相似于精簡(jiǎn)指令集(RISC)編程的應(yīng)用平臺(tái)的選擇,并支持多媒體和一流邊沿信號(hào)處理.

制造商:ROHM Semiconductor 產(chǎn)品種類(lèi):雙極晶體管 - 預(yù)偏置 配置:Single 晶體管極性:PNP 典型輸入電阻器:1 kOhms 典型電阻器比率:0.1 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-59-3 直流集電極/Base Gain hfe Min:56 集電極連續(xù)電流:- 500 mA 峰值直流集電極電流:500 mA Pd-功率耗散:200 mW 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 系列: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:56 高度:1.1 mm 長(zhǎng)度:2.9 mm 寬度:1.6 mm 商標(biāo):ROHM Semiconductor 產(chǎn)品類(lèi)型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased 3000 子類(lèi)別:Transistors 零件號(hào)別名:DTB113ZK 單位重量:8 mg

阻抗反射可按K2 的因數(shù)降低有效電源的阻抗,從而可減少所需的電容。

即使在低電壓系統(tǒng)中,如最初示例中的兩個(gè)移動(dòng)機(jī)器人,也可利用阻抗反射效應(yīng)來(lái)最大限度提高儲(chǔ)能元件(如大型旁路電容器、EMI 濾波器和其它電路參數(shù)等)的效用。

考慮在大型機(jī)器人框架間配送高電壓,然后將其轉(zhuǎn)換為低電壓用于諸如伺服驅(qū)動(dòng)器或人工智能處理器等高動(dòng)態(tài)負(fù)載的 770V 自動(dòng)駕駛汽車(chē)系統(tǒng):從負(fù)載角度回顧電源,除了所有配電阻抗外,電池阻抗似乎都會(huì)遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于實(shí)際阻抗。



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