每個P-I控制器的輸出被送到一個PWM調(diào)制器，然后送到輸出橋和兩個電機終端。

應(yīng)用到第三個電機終端的電壓源于應(yīng)用到前兩個線組的信號的負數(shù)和，適當用于分別間隔120度的三個正弦電壓。

第三個轉(zhuǎn)子繞組中的電流是受控繞組電流的負和，因此不能被分別控制。

這些磁場都經(jīng)過去耦并且相互間很穩(wěn)定。因此，當電樞電流受控以控制轉(zhuǎn)矩時，磁場能量仍保持不受影響，并實現(xiàn)了更快的瞬態(tài)響應(yīng)。

制造商: Infineon  

產(chǎn)品種類: MOSFET  

RoHS:  詳細信息  

技術(shù): Si  

安裝風格: SMD/SMT  

封裝 / 箱體: TDSON-8  

晶體管極性: N-Channel  

通道數(shù)量: 1 Channel  

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V  

Id-連續(xù)漏極電流: 50 A  

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 6.7 mOhms  

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V  

Qg-柵極電荷: 67 nC  

最小工作溫度: - 55 C  

最大工作溫度: + 150 C  

Pd-功率耗散: 69 W  

通道模式: Enhancement  

商標名: OptiMOS  

封裝: Cut Tape  

封裝: MouseReel  

封裝: Reel  

配置: Single  

高度: 1.27 mm  

長度: 5.9 mm  

系列: OptiMOS 3  

晶體管類型: 1 N-Channel  

寬度: 5.15 mm  

商標: Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 38 S  

下降時間: 7 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 26 ns  

工廠包裝數(shù)量: 5000  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間: 37 ns  

典型接通延遲時間: 15 ns  

零件號別名: BSC67N6LS3GXT SP000451084 BSC067N06LS3GATMA1  

單位重量: 100 mg  

BLDC電機控制要求了解電機進行整流轉(zhuǎn)向的轉(zhuǎn)子位置和機制。對于閉環(huán)速度控制，有兩個附加要求，即對于轉(zhuǎn)子速度/或電機電流以及PWM信號進行測量，以控制電機速度功率。

BLDC電機可以根據(jù)應(yīng)用要求采用邊排列或中心排列PWM信號。大多數(shù)應(yīng)用僅要求速度變化操作，將采用6個獨立的邊排列PWM信號。

這就提供了最高的分辨率。如果應(yīng)用要求服務(wù)器定位、能耗制動或動力倒轉(zhuǎn)，推薦使用補充的中心排列PWM信號。

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