分辨率為1920x1050速度120幀/秒的規(guī)格獲取單色圖像數(shù)據(jù)
發(fā)布時(shí)間:2021/5/3 18:12:17 訪問(wèn)次數(shù):468
Iris M的革命性非接觸式視頻處理系統(tǒng),該系統(tǒng)使用FLIR機(jī)器視覺(jué)相機(jī)感應(yīng)、放大和測(cè)量機(jī)器引起的細(xì)微振動(dòng),消除了使用早期技術(shù)本身固有的缺陷。
Iris M系統(tǒng)使用裝在Vanguard三腳架上的FLIR 2.3Mpixel Grasshoppper3相機(jī),此相機(jī)以默認(rèn)分辨率為1920x1050、速度為120幀/秒的規(guī)格獲取單色圖像數(shù)據(jù)。
從相機(jī)獲取的數(shù)據(jù)將通過(guò)USB 3.0接口傳輸?shù)狡桨咫娔X上,在此使用公司專用軟件進(jìn)行分析,使用戶可以看到工廠資產(chǎn)(例如機(jī)器)上的振動(dòng)特征。
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.1 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 130 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.27 mm
長(zhǎng)度: 5.9 mm
系列: OptiMOS 3
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 50 S
下降時(shí)間: 16 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 161 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 63 ns
典型接通延遲時(shí)間: 38 ns
零件號(hào)別名: BSC31N6NS3GXT SP000451482 BSC031N06NS3GATMA1
單位重量: 100 mg
同時(shí)還提供靈活的控制接口,適應(yīng)不同的控制器板.用在汽車車載充電器和EV/HEV汽車DC/DC轉(zhuǎn)換器.
更低的開(kāi)態(tài)(ON)電阻和緊湊的芯片尺寸,保證有更低的電容和柵極電容.因此,SiC MOSFET系統(tǒng)具有最高的效率,更快的工作頻率,較高的功率密度,從而降低了EMI和系統(tǒng)尺寸.
電流隔離的4A SiC MOSFET單個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器,驅(qū)動(dòng)電流4A和軌到軌輸出.器件有兩種不同的配置.獨(dú)立輸出引腳配置允許采用專用的柵極電阻以得到單獨(dú)的最佳開(kāi)和關(guān).配置具有單輸出引腳和米勒鉗位(CLAMP)功能,在半橋拓?fù)涞目焖贀Q向時(shí)阻止柵極尖峰的發(fā)生.
(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
Iris M的革命性非接觸式視頻處理系統(tǒng),該系統(tǒng)使用FLIR機(jī)器視覺(jué)相機(jī)感應(yīng)、放大和測(cè)量機(jī)器引起的細(xì)微振動(dòng),消除了使用早期技術(shù)本身固有的缺陷。
Iris M系統(tǒng)使用裝在Vanguard三腳架上的FLIR 2.3Mpixel Grasshoppper3相機(jī),此相機(jī)以默認(rèn)分辨率為1920x1050、速度為120幀/秒的規(guī)格獲取單色圖像數(shù)據(jù)。
從相機(jī)獲取的數(shù)據(jù)將通過(guò)USB 3.0接口傳輸?shù)狡桨咫娔X上,在此使用公司專用軟件進(jìn)行分析,使用戶可以看到工廠資產(chǎn)(例如機(jī)器)上的振動(dòng)特征。
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.1 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 130 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.27 mm
長(zhǎng)度: 5.9 mm
系列: OptiMOS 3
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 50 S
下降時(shí)間: 16 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 161 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 63 ns
典型接通延遲時(shí)間: 38 ns
零件號(hào)別名: BSC31N6NS3GXT SP000451482 BSC031N06NS3GATMA1
單位重量: 100 mg
同時(shí)還提供靈活的控制接口,適應(yīng)不同的控制器板.用在汽車車載充電器和EV/HEV汽車DC/DC轉(zhuǎn)換器.
更低的開(kāi)態(tài)(ON)電阻和緊湊的芯片尺寸,保證有更低的電容和柵極電容.因此,SiC MOSFET系統(tǒng)具有最高的效率,更快的工作頻率,較高的功率密度,從而降低了EMI和系統(tǒng)尺寸.
電流隔離的4A SiC MOSFET單個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器,驅(qū)動(dòng)電流4A和軌到軌輸出.器件有兩種不同的配置.獨(dú)立輸出引腳配置允許采用專用的柵極電阻以得到單獨(dú)的最佳開(kāi)和關(guān).配置具有單輸出引腳和米勒鉗位(CLAMP)功能,在半橋拓?fù)涞目焖贀Q向時(shí)阻止柵極尖峰的發(fā)生.
(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
熱門點(diǎn)擊
- GreenPAK器件混合信號(hào)MCU或小型FP
- Arm Cortex-M7雙核同步機(jī)制核高達(dá)
- ST54J SoC單片集成非接觸式前端(CL
- 可選擇FCCM或自動(dòng)跳躍Eco模式以得到高的
- GRAS 12BA和12BB電源模塊LST壓
- 霍爾開(kāi)關(guān)組合或2D/3D傳感器的集成主要特點(diǎn)
- 分辨率為1920x1050速度120幀/秒的
- 內(nèi)部鍵合技術(shù)和高貼裝兼容性的iXPLV封裝
- LDO穩(wěn)壓器的高速ADC時(shí)鐘和抖動(dòng)并行化器和
- AMP-104C智能設(shè)備及路由器的近距離無(wú)線
推薦技術(shù)資料
- 泰克新發(fā)布的DSA830
- 泰克新發(fā)布的DSA8300在一臺(tái)儀器中同時(shí)實(shí)現(xiàn)時(shí)域和頻域分析,DS... [詳細(xì)]
- AI加速器(NPU)圖像處理(
- 智能電池壽命增強(qiáng)器IC應(yīng)用解釋
- SUSE Enterpris
- 微軟Azure Marketplace應(yīng)用探
- 驅(qū)動(dòng)程序CUDAKMD和CUD
- NV-RISCV64(RV64
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究