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分辨率為1920x1050速度120幀/秒的規(guī)格獲取單色圖像數(shù)據(jù)

發(fā)布時(shí)間:2021/5/3 18:12:17 訪問(wèn)次數(shù):468

Iris M的革命性非接觸式視頻處理系統(tǒng),該系統(tǒng)使用FLIR機(jī)器視覺(jué)相機(jī)感應(yīng)、放大和測(cè)量機(jī)器引起的細(xì)微振動(dòng),消除了使用早期技術(shù)本身固有的缺陷。

Iris M系統(tǒng)使用裝在Vanguard三腳架上的FLIR 2.3Mpixel Grasshoppper3相機(jī),此相機(jī)以默認(rèn)分辨率為1920x1050、速度為120幀/秒的規(guī)格獲取單色圖像數(shù)據(jù)。

從相機(jī)獲取的數(shù)據(jù)將通過(guò)USB 3.0接口傳輸?shù)狡桨咫娔X上,在此使用公司專用軟件進(jìn)行分析,使用戶可以看到工廠資產(chǎn)(例如機(jī)器)上的振動(dòng)特征。

制造商: Infineon  

產(chǎn)品種類: MOSFET  

RoHS:  詳細(xì)信息  

技術(shù): Si  

安裝風(fēng)格: SMD/SMT  

封裝 / 箱體: TDSON-8  

晶體管極性: N-Channel  

通道數(shù)量: 1 Channel  

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V  

Id-連續(xù)漏極電流: 100 A  

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.1 mOhms  

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V  

Qg-柵極電荷: 130 nC  

最小工作溫度: - 55 C  

最大工作溫度: + 150 C  

Pd-功率耗散: 2.5 W  

通道模式: Enhancement  

商標(biāo)名: OptiMOS  

封裝: Cut Tape  

封裝: MouseReel  

封裝: Reel  

配置: Single  

高度: 1.27 mm  

長(zhǎng)度: 5.9 mm  

系列: OptiMOS 3  

晶體管類型: 1 N-Channel  

寬度: 5.15 mm  

商標(biāo): Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 50 S  

下降時(shí)間: 16 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 161 ns  

工廠包裝數(shù)量: 5000  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 63 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 38 ns  

零件號(hào)別名: BSC31N6NS3GXT SP000451482 BSC031N06NS3GATMA1  

單位重量: 100 mg

同時(shí)還提供靈活的控制接口,適應(yīng)不同的控制器板.用在汽車車載充電器和EV/HEV汽車DC/DC轉(zhuǎn)換器.

更低的開(kāi)態(tài)(ON)電阻和緊湊的芯片尺寸,保證有更低的電容和柵極電容.因此,SiC MOSFET系統(tǒng)具有最高的效率,更快的工作頻率,較高的功率密度,從而降低了EMI和系統(tǒng)尺寸.

電流隔離的4A SiC MOSFET單個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器,驅(qū)動(dòng)電流4A和軌到軌輸出.

器件有兩種不同的配置.獨(dú)立輸出引腳配置允許采用專用的柵極電阻以得到單獨(dú)的最佳開(kāi)和關(guān).配置具有單輸出引腳和米勒鉗位(CLAMP)功能,在半橋拓?fù)涞目焖贀Q向時(shí)阻止柵極尖峰的發(fā)生.

(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

Iris M的革命性非接觸式視頻處理系統(tǒng),該系統(tǒng)使用FLIR機(jī)器視覺(jué)相機(jī)感應(yīng)、放大和測(cè)量機(jī)器引起的細(xì)微振動(dòng),消除了使用早期技術(shù)本身固有的缺陷。

Iris M系統(tǒng)使用裝在Vanguard三腳架上的FLIR 2.3Mpixel Grasshoppper3相機(jī),此相機(jī)以默認(rèn)分辨率為1920x1050、速度為120幀/秒的規(guī)格獲取單色圖像數(shù)據(jù)。

從相機(jī)獲取的數(shù)據(jù)將通過(guò)USB 3.0接口傳輸?shù)狡桨咫娔X上,在此使用公司專用軟件進(jìn)行分析,使用戶可以看到工廠資產(chǎn)(例如機(jī)器)上的振動(dòng)特征。

制造商: Infineon  

產(chǎn)品種類: MOSFET  

RoHS:  詳細(xì)信息  

技術(shù): Si  

安裝風(fēng)格: SMD/SMT  

封裝 / 箱體: TDSON-8  

晶體管極性: N-Channel  

通道數(shù)量: 1 Channel  

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V  

Id-連續(xù)漏極電流: 100 A  

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.1 mOhms  

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V  

Qg-柵極電荷: 130 nC  

最小工作溫度: - 55 C  

最大工作溫度: + 150 C  

Pd-功率耗散: 2.5 W  

通道模式: Enhancement  

商標(biāo)名: OptiMOS  

封裝: Cut Tape  

封裝: MouseReel  

封裝: Reel  

配置: Single  

高度: 1.27 mm  

長(zhǎng)度: 5.9 mm  

系列: OptiMOS 3  

晶體管類型: 1 N-Channel  

寬度: 5.15 mm  

商標(biāo): Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 50 S  

下降時(shí)間: 16 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 161 ns  

工廠包裝數(shù)量: 5000  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 63 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 38 ns  

零件號(hào)別名: BSC31N6NS3GXT SP000451482 BSC031N06NS3GATMA1  

單位重量: 100 mg

同時(shí)還提供靈活的控制接口,適應(yīng)不同的控制器板.用在汽車車載充電器和EV/HEV汽車DC/DC轉(zhuǎn)換器.

更低的開(kāi)態(tài)(ON)電阻和緊湊的芯片尺寸,保證有更低的電容和柵極電容.因此,SiC MOSFET系統(tǒng)具有最高的效率,更快的工作頻率,較高的功率密度,從而降低了EMI和系統(tǒng)尺寸.

電流隔離的4A SiC MOSFET單個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器,驅(qū)動(dòng)電流4A和軌到軌輸出.

器件有兩種不同的配置.獨(dú)立輸出引腳配置允許采用專用的柵極電阻以得到單獨(dú)的最佳開(kāi)和關(guān).配置具有單輸出引腳和米勒鉗位(CLAMP)功能,在半橋拓?fù)涞目焖贀Q向時(shí)阻止柵極尖峰的發(fā)生.

(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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