新一代nvSRAM擴(kuò)展了英飛凌在電荷阱型存儲(chǔ)器領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。

nvSRAM系列中新增的這些符合QML-Q規(guī)范的高可靠性工業(yè)用器件證明了我們致力于為需要高性能、高可靠性存儲(chǔ)器的惡劣工作環(huán)境提供解決方案。

英飛凌的nvSRAM技術(shù)將高性能SRAM與一流的SONOS非易失性技術(shù)相結(jié)合。

在正常工作條件下，nvSRAM的作用類似于傳統(tǒng)的異步SRAM。斷電時(shí)，nvSRAM會(huì)自動(dòng)將SRAM數(shù)據(jù)的副本保存到非易失性存儲(chǔ)器中，該數(shù)據(jù)的保護(hù)期限超過20年。

FET 類型P 通道技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)17.3A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）6.5 毫歐 @ 13A，10V不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）2.8V @ 250μAVgs（最大值）±25VFET 功能-功率耗散（最大值）3.1W（Ta），6.9W（Tc）工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型表面貼裝型供應(yīng)商器件封裝8-SO封裝/外殼8-SOIC（0.154""，3.90mm 寬）漏源電壓（Vdss）30V不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）153nC @ 10V不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）4620pF @ 15V

新款67-1-C高壓舌簧繼電器提供的是一個(gè)現(xiàn)成的解決方案，可以方便地集成到新的高壓設(shè)計(jì)中，并可大量節(jié)省PCB面積。

新款轉(zhuǎn)換繼電器尺寸為67系列的標(biāo)準(zhǔn)尺寸，僅為58.4 x 12.6mm，提供5V、12V或24V三種線圈電壓選擇，并且提供從PCB到開關(guān)和線圈的連接。

“S-5701 B系列”表面貼裝隧道磁阻(TMR)傳感器IC，這款磁傳感器IC具有超低電流消耗、高磁靈敏度、長(zhǎng)壽命的特點(diǎn)，工作電流消耗僅為160nA。