正向壓降低和數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用H型整流器的優(yōu)點
發(fā)布時間:2021/5/11 13:27:58 訪問次數(shù):913
非易失性靜態(tài)RAM（nvSRAM）。新一代器件已通過QML-Q和高可靠性工業(yè)規(guī)格的認(rèn)證，支持苛刻環(huán)境下的非易失性代碼存儲和數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用，包括航天和工業(yè)應(yīng)用。
256 Kb STK14C88C和1 Mb STK14CA8C nvSRAM采用32引腳300mil雙列直插式陶瓷封裝，符合MIL-PRF-38535 QML-Q規(guī)格（-55°C至125°C）和英飛凌的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)（-40 °C至85°C）。
5V和3V版本均支持用于航天、通信和導(dǎo)航系統(tǒng)以及工業(yè)高爐和鐵路控制系統(tǒng)的引導(dǎo)代碼、數(shù)據(jù)記錄和校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲。英飛凌還提供晶圓銷售，以支持封裝系統(tǒng)。
整流器反向恢復(fù)損耗比緊隨其后的競品器件低30 %，比前代FRED Pt解決方案低48 %，同時導(dǎo)通和開關(guān)損耗低，從而提高電動 / 混合動力汽車（EV / HEV）電池充電站高速LLC輸出整流端，以及UPS應(yīng)用高頻級輕載和滿載效率。
整流器采用TO-220AC和TO-247AD封裝，X型為Hyperfast超高速恢復(fù)整流器，H型為Ultrafast超快恢復(fù)整流器。
X型整流器的優(yōu)點是QRR低，H型整流器的優(yōu)點是正向壓降低。
(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）
非易失性靜態(tài)RAM（nvSRAM）。新一代器件已通過QML-Q和高可靠性工業(yè)規(guī)格的認(rèn)證，支持苛刻環(huán)境下的非易失性代碼存儲和數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用，包括航天和工業(yè)應(yīng)用。
256 Kb STK14C88C和1 Mb STK14CA8C nvSRAM采用32引腳300mil雙列直插式陶瓷封裝，符合MIL-PRF-38535 QML-Q規(guī)格（-55°C至125°C）和英飛凌的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)（-40 °C至85°C）。
5V和3V版本均支持用于航天、通信和導(dǎo)航系統(tǒng)以及工業(yè)高爐和鐵路控制系統(tǒng)的引導(dǎo)代碼、數(shù)據(jù)記錄和校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲。英飛凌還提供晶圓銷售，以支持封裝系統(tǒng)。
整流器反向恢復(fù)損耗比緊隨其后的競品器件低30 %，比前代FRED Pt解決方案低48 %，同時導(dǎo)通和開關(guān)損耗低，從而提高電動 / 混合動力汽車（EV / HEV）電池充電站高速LLC輸出整流端，以及UPS應(yīng)用高頻級輕載和滿載效率。
整流器采用TO-220AC和TO-247AD封裝，X型為Hyperfast超高速恢復(fù)整流器，H型為Ultrafast超快恢復(fù)整流器。
X型整流器的優(yōu)點是QRR低，H型整流器的優(yōu)點是正向壓降低。
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