在工業(yè)人機接口音頻和視頻特性MIPICSI/DSI
發(fā)布時間:2021/5/14 23:38:57 訪問次數(shù):1129
i.MX RT1170還提供各種存儲器接口包括SDRAM,RAWNAND FLASH,NOR FLASH, SD/eMMC, Quad/Octal SPI, HyperRAM/Flash以及各種連接外設(shè)如WLAN, Bluetooth™,GPS, 顯示器和照相機傳感器.
此外,器件還具有豐富的音頻和視頻特性如MIPICSI/DSI, LCD顯示器,圖像加速器,照相機接口,SPDIF和I2S音頻接口.
i.MX RT1170主要用在工業(yè)人機接口(HMI),馬達控制,家用電器,高端音頻設(shè)備,低端儀表盤和銷售終端(PoS).
制造商:NXP 產(chǎn)品種類:電池管理 RoHS: 詳細信息 產(chǎn)品:Charge Management 電池類型:Li-Ion 工作電源電壓:9.6 V to 61.6 V 封裝 / 箱體:QFP-64 安裝風格:SMD/SMT 系列:MC33771 封裝:Tray 商標:NXP Semiconductors 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:Battery Management 工廠包裝數(shù)量:160 子類別:PMIC - Power Management ICs 零件號別名:935349658557 單位重量:363.668 mg
VNH7040AY滿足汽車AEC-Q100資質(zhì),輸出電流35A,3V CMOS兼容輸入,具有欠壓關(guān)斷,超壓箝住,熱關(guān)斷以及交叉導通保護和電流與功率限制.
該評估板采用全橋馬達驅(qū)動器VNH7040AY,它包含雙路單片高邊驅(qū)動器和兩個低邊開關(guān).所有開關(guān)采用ST公司的VIPower® M0技術(shù),允許在同以芯片內(nèi)集成真正的功率MOSFET和智能信號/保護電路.
三個芯片封裝在PowerSSO-36封裝內(nèi),有三個露出的小島以最優(yōu)化散熱性能.該封裝特別設(shè)計用在汽車苛刻的環(huán)境中.
i.MX RT1170還提供各種存儲器接口包括SDRAM,RAWNAND FLASH,NOR FLASH, SD/eMMC, Quad/Octal SPI, HyperRAM/Flash以及各種連接外設(shè)如WLAN, Bluetooth™,GPS, 顯示器和照相機傳感器.
此外,器件還具有豐富的音頻和視頻特性如MIPICSI/DSI, LCD顯示器,圖像加速器,照相機接口,SPDIF和I2S音頻接口.
i.MX RT1170主要用在工業(yè)人機接口(HMI),馬達控制,家用電器,高端音頻設(shè)備,低端儀表盤和銷售終端(PoS).
制造商:NXP 產(chǎn)品種類:電池管理 RoHS: 詳細信息 產(chǎn)品:Charge Management 電池類型:Li-Ion 工作電源電壓:9.6 V to 61.6 V 封裝 / 箱體:QFP-64 安裝風格:SMD/SMT 系列:MC33771 封裝:Tray 商標:NXP Semiconductors 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:Battery Management 工廠包裝數(shù)量:160 子類別:PMIC - Power Management ICs 零件號別名:935349658557 單位重量:363.668 mg
VNH7040AY滿足汽車AEC-Q100資質(zhì),輸出電流35A,3V CMOS兼容輸入,具有欠壓關(guān)斷,超壓箝住,熱關(guān)斷以及交叉導通保護和電流與功率限制.
該評估板采用全橋馬達驅(qū)動器VNH7040AY,它包含雙路單片高邊驅(qū)動器和兩個低邊開關(guān).所有開關(guān)采用ST公司的VIPower® M0技術(shù),允許在同以芯片內(nèi)集成真正的功率MOSFET和智能信號/保護電路.
三個芯片封裝在PowerSSO-36封裝內(nèi),有三個露出的小島以最優(yōu)化散熱性能.該封裝特別設(shè)計用在汽車苛刻的環(huán)境中.
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