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雙向尺寸PAD置芯片Macro與PAD及標準單元之間的互聯(lián)線

發(fā)布時間:2021/5/7 12:31:15 訪問次數(shù):1577

定位的Macro 有SRAM、ROM、ADC 以及ANALOG_TOP,本文綜合考慮它們與IO 的位置關系將它們定位于芯片的四周,這樣可以芯片中保留成片的空白區(qū)域來放置標準單元。

為了保證Macro與PAD 及標準單元之間的互聯(lián)線,在每個Macro的四周這只一個空白區(qū),這個區(qū)域內任何情況不允許擺放標準單元。

具體命令如下:

芯片在放置標準單元和Macro 的核心區(qū)與PAD之間設計40 μm 的預留區(qū),用于擺放電源環(huán)(PowerRing)及互聯(lián)走線。

制造商:STMicroelectronics 產品種類:MOSFET 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TO-252-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:1 kV Id-連續(xù)漏極電流:2.5 A Rds On-漏源導通電阻:6 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V Qg-柵極電荷:18 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:90 W 通道模式:Enhancement 商標名: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:2.4 mm 長度:6.6 mm 系列: 晶體管類型:1 N-Channel Power MOSFET 寬度:6.2 mm 商標:STMicroelectronics 正向跨導 - 最小值:2.4 S 下降時間:32 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:7.5 ns 2500 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:39 ns 典型接通延遲時間:15 ns 單位重量:4 g

芯片內特定區(qū)域設置為布局限制區(qū)(Place-ment Blockage)。ICC工具多種形式的限制,如禁止粗略布局時擺放標準單元、只允許布局優(yōu)化時擺放標準單元、只允許布線等.

多處布局限制區(qū),以方便ADC、ANALOG_TOP 等與IO 之間的連線。所以設計規(guī)劃是整個物理設計過程中反復次數(shù)最多、手動設計最多的一步。

縱橫兩向尺寸均較大的PAD置于芯片的南北兩邊,將單向尺寸較小的PAD 置于芯片的東西側且大尺寸邊朝向南北,相比較于將雙向尺寸均較大PAD 置芯片的四周,這樣的設計非常有效的減小了芯片的面積。


(素材來源:ttic和eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)

定位的Macro 有SRAM、ROM、ADC 以及ANALOG_TOP,本文綜合考慮它們與IO 的位置關系將它們定位于芯片的四周,這樣可以芯片中保留成片的空白區(qū)域來放置標準單元。

為了保證Macro與PAD 及標準單元之間的互聯(lián)線,在每個Macro的四周這只一個空白區(qū),這個區(qū)域內任何情況不允許擺放標準單元。

具體命令如下:

芯片在放置標準單元和Macro 的核心區(qū)與PAD之間設計40 μm 的預留區(qū),用于擺放電源環(huán)(PowerRing)及互聯(lián)走線。

制造商:STMicroelectronics 產品種類:MOSFET 技術:Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TO-252-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:1 kV Id-連續(xù)漏極電流:2.5 A Rds On-漏源導通電阻:6 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V Qg-柵極電荷:18 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:90 W 通道模式:Enhancement 商標名: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:2.4 mm 長度:6.6 mm 系列: 晶體管類型:1 N-Channel Power MOSFET 寬度:6.2 mm 商標:STMicroelectronics 正向跨導 - 最小值:2.4 S 下降時間:32 ns 產品類型:MOSFET 上升時間:7.5 ns 2500 子類別:MOSFETs 典型關閉延遲時間:39 ns 典型接通延遲時間:15 ns 單位重量:4 g

芯片內特定區(qū)域設置為布局限制區(qū)(Place-ment Blockage)。ICC工具多種形式的限制,如禁止粗略布局時擺放標準單元、只允許布局優(yōu)化時擺放標準單元、只允許布線等.

多處布局限制區(qū),以方便ADC、ANALOG_TOP 等與IO 之間的連線。所以設計規(guī)劃是整個物理設計過程中反復次數(shù)最多、手動設計最多的一步。

縱橫兩向尺寸均較大的PAD置于芯片的南北兩邊,將單向尺寸較小的PAD 置于芯片的東西側且大尺寸邊朝向南北,相比較于將雙向尺寸均較大PAD 置芯片的四周,這樣的設計非常有效的減小了芯片的面積。


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