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IGZO技術(shù)傳統(tǒng)的TFT探測器STM32WL SoC的生態(tài)系統(tǒng)

發(fā)布時(shí)間:2021/4/29 23:07:17 訪問次數(shù):1440

新型AS585xB產(chǎn)品與X射線影像設(shè)備中的標(biāo)準(zhǔn)連接器兼容,組裝起來更簡便;

平板探測儀制造商可以從三種產(chǎn)品選項(xiàng)中,選擇更快、更低功耗的讀出IC;

超低噪聲AS5850B與最新的IGZO探測器技術(shù)、傳統(tǒng)的TFT探測器類型都兼容。

數(shù)字X射線平板式探測儀(FPD)的一流讀取IC家族推出了新產(chǎn)品AS585xB系列,該系列器件為客戶提供了全新的靈活連接器選項(xiàng),更降低了其整合到系統(tǒng)中的成本。

制造商:Taiwan Semiconductor產(chǎn)品種類:ESD 抑制器/TVS 二極管產(chǎn)品類型:TVS Diodes極性:Bidirectional工作電壓:6.5 V通道數(shù)量:1 Channel端接類型:SMD/SMT封裝 / 箱體:DO-214AA-2擊穿電壓:7.22 V鉗位電壓:11.2 V峰值脈沖功耗 (Pppm):600 WIpp - 峰值脈沖電流:56 A最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 C系列:封裝:Reel商標(biāo):Taiwan SemiconductorPd-功率耗散:3 W3000子類別:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes零件號(hào)別名:SMBJ6.5CA R5單位重量:93 mg

支持可實(shí)現(xiàn)高度可擴(kuò)展的遠(yuǎn)距離超低功耗無線網(wǎng)絡(luò)的mioty®標(biāo)準(zhǔn),促進(jìn)下一代由規(guī)模而非速度驅(qū)動(dòng)的大規(guī)模物聯(lián)網(wǎng)(Massive IoT)應(yīng)用發(fā)展。

意法半導(dǎo)體加入Mioty規(guī)范管理和技術(shù)推廣組織Mioty聯(lián)盟,同時(shí)發(fā)布了ST授權(quán)合作伙伴Stackforce開發(fā)的協(xié)議棧,讓客戶可以使用STM32WL無線系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)開發(fā)Mioty設(shè)備。

mioty承諾讓激動(dòng)人心的新型物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用Massive IoT變?yōu)榭赡,如,可覆蓋廣闊的地理區(qū)域。Mioty協(xié)議棧進(jìn)一步加強(qiáng)了STM32WL SoC的生態(tài)系統(tǒng)。

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

新型AS585xB產(chǎn)品與X射線影像設(shè)備中的標(biāo)準(zhǔn)連接器兼容,組裝起來更簡便;

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超低噪聲AS5850B與最新的IGZO探測器技術(shù)、傳統(tǒng)的TFT探測器類型都兼容。

數(shù)字X射線平板式探測儀(FPD)的一流讀取IC家族推出了新產(chǎn)品AS585xB系列,該系列器件為客戶提供了全新的靈活連接器選項(xiàng),更降低了其整合到系統(tǒng)中的成本。

制造商:Taiwan Semiconductor產(chǎn)品種類:ESD 抑制器/TVS 二極管產(chǎn)品類型:TVS Diodes極性:Bidirectional工作電壓:6.5 V通道數(shù)量:1 Channel端接類型:SMD/SMT封裝 / 箱體:DO-214AA-2擊穿電壓:7.22 V鉗位電壓:11.2 V峰值脈沖功耗 (Pppm):600 WIpp - 峰值脈沖電流:56 A最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 C系列:封裝:Reel商標(biāo):Taiwan SemiconductorPd-功率耗散:3 W3000子類別:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes零件號(hào)別名:SMBJ6.5CA R5單位重量:93 mg

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(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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