整合數(shù)字簽名功能與區(qū)塊鏈技術(shù)的“InnoBTS™ SSD”（Blockchain Technology Storage）解決方案，進(jìn)一步強(qiáng)化智能物聯(lián)設(shè)備的數(shù)據(jù)正確性與最高等級保護(hù)。

區(qū)塊鏈InnoBTS™ SSD解決方案，以專利技術(shù)將區(qū)塊鏈的數(shù)字簽名與數(shù)據(jù)上鏈功能，成功整合至單一存儲載體中，大大簡化了系統(tǒng)配置，提供輕松的區(qū)塊鏈布建，并在智能物聯(lián)時代，幫助大規(guī)模的邊緣設(shè)備快速上鏈，擴(kuò)大區(qū)塊鏈網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用。

透過區(qū)塊鏈分散賬本的特性，確保數(shù)據(jù)正確性與高度完整性，將特別適用于如智慧電表，智能無人商店，數(shù)字身份辨識等各種物聯(lián)應(yīng)用。

新一代電感耦合等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備Primo Twin-Star®，用于IC器件前道和后道制程導(dǎo)電/電介質(zhì)膜的刻蝕應(yīng)用。

單臺反應(yīng)器的電感耦合等離子體（ICP）刻蝕技術(shù)和雙臺反應(yīng)器的Primo平臺，Primo Twin-Star®為電介質(zhì)前道/后道制程、多晶硅刻蝕、DTI和BSI刻蝕等提供了高性價比的刻蝕解決方案。

它的創(chuàng)新設(shè)計包括：Primo Twin-Star®使用了雙反應(yīng)臺腔體設(shè)計和低電容耦合3D線圈設(shè)計，創(chuàng)新的反應(yīng)腔設(shè)計可最大程度減弱非中心對稱抽氣口效應(yīng)，通過采用多區(qū)溫控靜電吸盤（ESC）增強(qiáng)了對關(guān)鍵尺寸均勻性和重復(fù)性的控制。

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