低電壓信號(SLVS-ECTM)*7高速接口標(biāo)準(zhǔn)單核雙核產(chǎn)品
發(fā)布時間:2021/5/29 6:47:01 訪問次數(shù):465
擴(kuò)展包的首個軟件包X-CUBE-AZRTOS-H7讓使用意法半導(dǎo)體 STM32 MCU產(chǎn)品家族中性能最高的STM32H7微控制器(MCU)系列開發(fā)項目的工程師贏在起跑線上。
意法半導(dǎo)體將在2021年發(fā)布類似的支持其他STM32 MCU的軟件包。
STM32H7系列包含100多款單核雙核產(chǎn)品,處理性能更是取得了Arm® Cortex®-M處理器MCU基準(zhǔn)測試的最好成績,并具有強(qiáng)大的圖形處理功能和硬件網(wǎng)絡(luò)安全保護(hù)功能。
STM32生態(tài)系統(tǒng)為開發(fā)者提供嵌入式軟硬件開發(fā)資源。
產(chǎn)品種類: NAND閃存
RoHS: 詳細(xì)信息
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: VFBGA-63
系列: MT29F
存儲容量: 2 Gbit
接口類型: Parallel
組織: 256 M x 8
定時類型: Asynchronous
數(shù)據(jù)總線寬度: 8 bit
電源電壓-最小: 1.7 V
電源電壓-最大: 1.95 V
電源電流—最大值: 35 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
封裝: Tray
產(chǎn)品: NAND Flash
商標(biāo): Micron
有源讀取電流(最大值): 35 mA
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: NAND Flash
工廠包裝數(shù)量: 1260
子類別: Memory & Data Storage
單位重量: 2.728 g
這兩項獨創(chuàng)技術(shù)實現(xiàn)了1.2768億的有效像素、10位、21.8幀的高速輸出數(shù)據(jù)率,比前代產(chǎn)品*4快了近4倍,多像素和讀出速度的大幅提升,極大地提高了工業(yè)應(yīng)用中的生產(chǎn)率。
使用嵌入式時鐘信號的數(shù)據(jù)傳輸方式。這樣就不需要在通道之間進(jìn)行傾斜調(diào)整,并減少了所需的布線量,使電路板的設(shè)計更加簡單,從而適應(yīng)更高的速度。
擴(kuò)展包的首個軟件包X-CUBE-AZRTOS-H7讓使用意法半導(dǎo)體 STM32 MCU產(chǎn)品家族中性能最高的STM32H7微控制器(MCU)系列開發(fā)項目的工程師贏在起跑線上。
意法半導(dǎo)體將在2021年發(fā)布類似的支持其他STM32 MCU的軟件包。
STM32H7系列包含100多款單核雙核產(chǎn)品,處理性能更是取得了Arm® Cortex®-M處理器MCU基準(zhǔn)測試的最好成績,并具有強(qiáng)大的圖形處理功能和硬件網(wǎng)絡(luò)安全保護(hù)功能。
STM32生態(tài)系統(tǒng)為開發(fā)者提供嵌入式軟硬件開發(fā)資源。
產(chǎn)品種類: NAND閃存
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安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: VFBGA-63
系列: MT29F
存儲容量: 2 Gbit
接口類型: Parallel
組織: 256 M x 8
定時類型: Asynchronous
數(shù)據(jù)總線寬度: 8 bit
電源電壓-最小: 1.7 V
電源電壓-最大: 1.95 V
電源電流—最大值: 35 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
封裝: Tray
產(chǎn)品: NAND Flash
商標(biāo): Micron
有源讀取電流(最大值): 35 mA
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: NAND Flash
工廠包裝數(shù)量: 1260
子類別: Memory & Data Storage
單位重量: 2.728 g
這兩項獨創(chuàng)技術(shù)實現(xiàn)了1.2768億的有效像素、10位、21.8幀的高速輸出數(shù)據(jù)率,比前代產(chǎn)品*4快了近4倍,多像素和讀出速度的大幅提升,極大地提高了工業(yè)應(yīng)用中的生產(chǎn)率。
使用嵌入式時鐘信號的數(shù)據(jù)傳輸方式。這樣就不需要在通道之間進(jìn)行傾斜調(diào)整,并減少了所需的布線量,使電路板的設(shè)計更加簡單,從而適應(yīng)更高的速度。
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