LFPAK56D半橋封裝成功減少了60%的寄生電感
發(fā)布時(shí)間:2021/5/31 7:52:59 訪問(wèn)次數(shù):359
在半橋結(jié)構(gòu)中，高邊MOSFET的源極與低邊MOSFET的漏極之間的PCB連接會(huì)產(chǎn)生大量的寄生電感。但是，通過(guò)內(nèi)部夾式連接，LFPAK56D半橋封裝成功減少了60%的寄生電感。
LFPAK56D半橋MOSFET是BUK7V4R2-40H和BUK9V13-40H。
這兩款產(chǎn)品都采用高度耐用的Trench 9汽車級(jí)晶圓工藝技術(shù)，額定電壓為40 V，并在關(guān)鍵測(cè)試中通過(guò)了兩倍汽車AEC-Q101規(guī)范的驗(yàn)證。
這兩款器件的RDS(on)分別為4.2 mOhm (BUK7V4R2)和13 mOhm (BUK9V13)。
A17700使系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員可以根據(jù)具體要求輕松地選擇最適合的絕佳算法和I/O選項(xiàng)，能夠在精度和生產(chǎn)線末端測(cè)試時(shí)間之間達(dá)到最佳平衡，從而可以優(yōu)化系統(tǒng)成本。
A17700占位面積小，集成有靈活的補(bǔ)償技術(shù)，是當(dāng)今電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車等空間和效率至關(guān)重要應(yīng)用的理想解決方案。
器件有過(guò)壓保護(hù)和輸出電壓順序以及熱保護(hù),對(duì)LNM器件可同步到外部時(shí)鐘.主要用在24V總線工業(yè)電源系統(tǒng),24V電池供電設(shè)備,傳感器和常開(kāi)的應(yīng)用,分散智能節(jié)點(diǎn)以及低噪音應(yīng)用.
(素材來(lái)源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
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LFPAK56D半橋MOSFET是BUK7V4R2-40H和BUK9V13-40H。
這兩款產(chǎn)品都采用高度耐用的Trench 9汽車級(jí)晶圓工藝技術(shù)，額定電壓為40 V，并在關(guān)鍵測(cè)試中通過(guò)了兩倍汽車AEC-Q101規(guī)范的驗(yàn)證。
這兩款器件的RDS(on)分別為4.2 mOhm (BUK7V4R2)和13 mOhm (BUK9V13)。
A17700使系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員可以根據(jù)具體要求輕松地選擇最適合的絕佳算法和I/O選項(xiàng)，能夠在精度和生產(chǎn)線末端測(cè)試時(shí)間之間達(dá)到最佳平衡，從而可以優(yōu)化系統(tǒng)成本。
A17700占位面積小，集成有靈活的補(bǔ)償技術(shù)，是當(dāng)今電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車等空間和效率至關(guān)重要應(yīng)用的理想解決方案。
器件有過(guò)壓保護(hù)和輸出電壓順序以及熱保護(hù),對(duì)LNM器件可同步到外部時(shí)鐘.主要用在24V總線工業(yè)電源系統(tǒng),24V電池供電設(shè)備,傳感器和常開(kāi)的應(yīng)用,分散智能節(jié)點(diǎn)以及低噪音應(yīng)用.
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