非對稱半橋控制的XDP混合反激控制器.半橋驅(qū)動和串聯(lián)電容連接的反激變壓器.

反激變壓器的主要電感和串聯(lián)電容形成諧振回路,可以得到半橋功率開關(guān)的零電壓開關(guān)(ZVS)特性,在反激變器的通常去磁相中提供另外的諧振功率發(fā)送.

數(shù)字混合反激控制器在DSO-14(150密爾)封裝中集成了半橋驅(qū)動器,600V高壓起動單元可用于快速充電和低待機(jī)功耗,而峰值電流模式控制用于強(qiáng)健和快速線路與負(fù)于控制.

主要用在案AC/DC SMPS,大于20W/inch3超高功率密度的適配器,以及大于93%的超高效率的開關(guān)電源.

制造商:Cree, Inc.產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 技術(shù):SiC安裝風(fēng)格:Through Hole封裝 / 箱體:TO-247-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:1.2 kVId-連續(xù)漏極電流:31.6 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:98 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 5 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:4 VQg-柵極電荷:71 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:208 W通道模式:Enhancement封裝:Tube配置:Single高度:21.1 mm長度:16.13 mm產(chǎn)品:Power MOSFETs晶體管類型:1 N-Channel類型:Silicon Carbide Power MOSFET寬度:5.21 mm商標(biāo):Wolfspeed / Cree正向跨導(dǎo) - 最小值:3.9 S下降時間:21 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時間:34 ns30子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時間:23.2 ns典型接通延遲時間:12 ns單位重量:6 g

BC5521是以嵌入式實(shí)時操作系統(tǒng)為軟件支撐平臺的全網(wǎng)通工業(yè)路由器，帶5G的同時支持5G NR SA/5G NR NSA/LTE-FDD/LTE-TDD/WCDMA網(wǎng)絡(luò)制式，使機(jī)器設(shè)備與平臺之間的數(shù)據(jù)交互更高效。

fPD=100MHz時的積分模式尖峰為-95 dBc,高相位檢測頻率有400MHz整數(shù)模式和300MHz小數(shù)分頻模式.

用途方面，BC5521能夠廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)鏈中的M2M行業(yè)，如高清攝像頭、巡檢機(jī)器人、5G遠(yuǎn)程醫(yī)療、5G應(yīng)急救援、智能電網(wǎng)、智能交通、智能家居、供應(yīng)鏈自動化、工業(yè)自動化、數(shù)字化醫(yī)療。

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