RV1126采用開放式NPU，釋放NPU底層代碼，合作伙伴或開發(fā)者能夠更易上手，縮短產(chǎn)品設(shè)計研發(fā)周期，加速產(chǎn)品落地進程。

故障保護功能包括高邊MOSFET短路和過流報警、過熱保護和欠壓鎖定（UVLO）。SiC8xx系列支持3.3V和5V三態(tài)PWM邏輯電平，兼容各種PWM控制器。

電感耦合等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備Primo Twin-Star®，用于IC器件前道和后道制程導(dǎo)電/電介質(zhì)膜的刻蝕應(yīng)用。

產(chǎn)品種類: NAND閃存

RoHS: 詳細信息

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: VFBGA-63

系列: MT29F

存儲容量: 2 Gbit

接口類型: Parallel

組織: 256 M x 8

定時類型: Asynchronous

數(shù)據(jù)總線寬度: 8 bit

電源電壓-最小: 1.7 V

電源電壓-最大: 1.95 V

電源電流—最大值: 35 mA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

封裝: Tray

產(chǎn)品: NAND Flash

商標: Micron

有源讀取電流（最大值）: 35 mA

濕度敏感性: Yes

產(chǎn)品類型: NAND Flash

工廠包裝數(shù)量: 1260

子類別: Memory & Data Storage

單位重量: 2.728 g

Primo Twin-Star®設(shè)備優(yōu)化了中微公司電感耦合等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備產(chǎn)品線。

現(xiàn)在的制造商對于生產(chǎn)成本日益敏感，我們的目標是為客戶提供技術(shù)創(chuàng)新、高生產(chǎn)率和高性價比的ICP刻蝕解決方案。Primo Twin-Star®設(shè)備已在各類前道/后道制程、用于功率器件和CIS應(yīng)用的深溝槽隔離刻蝕（DTI）中表現(xiàn)出卓越的性能。

通過提供兼具這些優(yōu)異性能和高性價比的解決方案，我們不僅幫助客戶解決了技術(shù)難題，同時最大程度地提升了其投資效益。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）