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非隔離型3DC/DC轉(zhuǎn)換器IC利用ROHM擅長的模擬設(shè)計

發(fā)布時間:2021/6/6 0:02:09 訪問次數(shù):1158

ROHM利用先進的電源系統(tǒng)工藝和垂直統(tǒng)合型生產(chǎn)體制,為工業(yè)設(shè)備市場開發(fā)出眾多電源IC產(chǎn)品,這些產(chǎn)品不僅特性出色,而且還很注重可靠性和長期穩(wěn)定供應(yīng)。

ROHM又面向先進的工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域,開發(fā)出高耐壓和大電流性能兼?zhèn)涞腄C/DC轉(zhuǎn)換器IC。

新產(chǎn)品是非隔離型*3DC/DC轉(zhuǎn)換器IC,利用ROHM擅長的模擬設(shè)計技術(shù)開發(fā)而成,采用電源系統(tǒng)的BiCDMOS高耐壓工藝,可提供先進工業(yè)設(shè)備所需的電源功能。

“BD9G500EFJ-LA”適用于48V電源系統(tǒng),具有業(yè)內(nèi)超高的80V耐壓.


制造商: Microchip

產(chǎn)品種類: 電可擦除可編程只讀存儲器

RoHS:  詳細信息

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-8 Narrow

接口類型: 2-Wire, I2C

存儲容量: 2 kbit

組織: 256 x 8

電源電壓-最小: 1.7 V

電源電壓-最大: 5.5 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

最大時鐘頻率: 1 MHz

數(shù)據(jù)保留: 100 Year

電源電流—最大值: 3 mA

系列: AT24C02C

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

商標: Microchip Technology / Atmel

濕度敏感性: Yes

工作電源電壓: 1.7 V to 5.5 V

產(chǎn)品類型: EEPROM

工廠包裝數(shù)量: 4000

子類別: Memory & Data Storage

單位重量: 540 mg

頻率信息能從DPLL-0 到DPLL-1,反之亦然,使得兩個基準(組合模式)的頻率特性得以組合. 8V19N850可通過引腳映射I3CSM(包括以前的I2C)和3/4線SPI接口進行配置.

設(shè)備時鐘域(RF-PLL)支持JESD204B/C,而數(shù)字時鐘域(以太網(wǎng)和FEC速率)支持eEEC和T-BC/T-TSC Class C.器件的核電源為3.3V,輸出電壓為3.3V,2.5V和1.8V.

采用10 × 10 mm 88-VFQFPN封裝,工作溫度-40C 到 +105C.主要用于無線基礎(chǔ)設(shè)備5G無線電.

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)


ROHM利用先進的電源系統(tǒng)工藝和垂直統(tǒng)合型生產(chǎn)體制,為工業(yè)設(shè)備市場開發(fā)出眾多電源IC產(chǎn)品,這些產(chǎn)品不僅特性出色,而且還很注重可靠性和長期穩(wěn)定供應(yīng)。

ROHM又面向先進的工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域,開發(fā)出高耐壓和大電流性能兼?zhèn)涞腄C/DC轉(zhuǎn)換器IC。

新產(chǎn)品是非隔離型*3DC/DC轉(zhuǎn)換器IC,利用ROHM擅長的模擬設(shè)計技術(shù)開發(fā)而成,采用電源系統(tǒng)的BiCDMOS高耐壓工藝,可提供先進工業(yè)設(shè)備所需的電源功能。

“BD9G500EFJ-LA”適用于48V電源系統(tǒng),具有業(yè)內(nèi)超高的80V耐壓.


制造商: Microchip

產(chǎn)品種類: 電可擦除可編程只讀存儲器

RoHS:  詳細信息

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-8 Narrow

接口類型: 2-Wire, I2C

存儲容量: 2 kbit

組織: 256 x 8

電源電壓-最小: 1.7 V

電源電壓-最大: 5.5 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

最大時鐘頻率: 1 MHz

數(shù)據(jù)保留: 100 Year

電源電流—最大值: 3 mA

系列: AT24C02C

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

商標: Microchip Technology / Atmel

濕度敏感性: Yes

工作電源電壓: 1.7 V to 5.5 V

產(chǎn)品類型: EEPROM

工廠包裝數(shù)量: 4000

子類別: Memory & Data Storage

單位重量: 540 mg

頻率信息能從DPLL-0 到DPLL-1,反之亦然,使得兩個基準(組合模式)的頻率特性得以組合. 8V19N850可通過引腳映射I3CSM(包括以前的I2C)和3/4線SPI接口進行配置.

設(shè)備時鐘域(RF-PLL)支持JESD204B/C,而數(shù)字時鐘域(以太網(wǎng)和FEC速率)支持eEEC和T-BC/T-TSC Class C.器件的核電源為3.3V,輸出電壓為3.3V,2.5V和1.8V.

采用10 × 10 mm 88-VFQFPN封裝,工作溫度-40C 到 +105C.主要用于無線基礎(chǔ)設(shè)備5G無線電.

(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)


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