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銅裸芯片焊盤8路繼電器驅(qū)動(dòng)器熱學(xué)性能和超溫檢測

發(fā)布時(shí)間:2021/6/12 14:28:28 訪問次數(shù):1146

L9026是可配置8路繼電器驅(qū)動(dòng)器,具有2路固定HS驅(qū)動(dòng)器和6路可配置的HS/LS驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于汽車應(yīng)用(LED和繼電器),和電阻,電感和電容負(fù)載兼容.

器件提供先進(jìn)的診斷和保護(hù)功能如對地(GND)短路,開路,過流和超溫檢測.

菊花鏈和SPI兼容,也和8位SPI器件兼容,兩種封裝選擇:HTSSOP24和VFQFPN32.器件完全和ISO26262兼容,也適合用于ASIL-B系統(tǒng).主要用在汽車電子.

制造商:Texas Instruments產(chǎn)品種類:電源開關(guān) IC - 配電RoHS: 詳細(xì)信息類型:Low Side輸出端數(shù)量:1 Output輸出電流:1.5 A電流限制:1.2 A導(dǎo)通電阻—最大值:85 mOhms工作電源電壓:2.5 V to 6.5 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-23-6系列:TPS2552封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel產(chǎn)品:USB Current Limited Power Switches商標(biāo):Texas Instruments產(chǎn)品類型:Power Switch ICs - Power Distribution工廠包裝數(shù)量:3000子類別:Switch ICs電源電壓-最大:6.5 V電源電壓-最小:2.5 V零件號別名:HPA00714DBVR單位重量:36 mg


GaN能夠幫助雷達(dá)設(shè)計(jì)者克服功率、散熱、重量和尺寸、以及成本效益等諸多挑戰(zhàn),其具備寬的能帶隙,擁有極高的臨界擊穿電場.

具備出色的高溫可靠性、出眾的高供電電壓下的魯棒性,以及優(yōu)異的功率密度。

將碳化硅(SiC)作為 GaN的襯底,能實(shí)現(xiàn)較低的熱膨脹、較低的晶格失配,以及出色的熱導(dǎo)率,進(jìn)而充分發(fā)揮GaN的特性。

QFN封裝采用短鍵合引線,有助于降低引線電感,其暴露在外的銅裸芯片焊盤提供出色的熱學(xué)性能。



(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

L9026是可配置8路繼電器驅(qū)動(dòng)器,具有2路固定HS驅(qū)動(dòng)器和6路可配置的HS/LS驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于汽車應(yīng)用(LED和繼電器),和電阻,電感和電容負(fù)載兼容.

器件提供先進(jìn)的診斷和保護(hù)功能如對地(GND)短路,開路,過流和超溫檢測.

菊花鏈和SPI兼容,也和8位SPI器件兼容,兩種封裝選擇:HTSSOP24和VFQFPN32.器件完全和ISO26262兼容,也適合用于ASIL-B系統(tǒng).主要用在汽車電子.

制造商:Texas Instruments產(chǎn)品種類:電源開關(guān) IC - 配電RoHS: 詳細(xì)信息類型:Low Side輸出端數(shù)量:1 Output輸出電流:1.5 A電流限制:1.2 A導(dǎo)通電阻—最大值:85 mOhms工作電源電壓:2.5 V to 6.5 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-23-6系列:TPS2552封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel產(chǎn)品:USB Current Limited Power Switches商標(biāo):Texas Instruments產(chǎn)品類型:Power Switch ICs - Power Distribution工廠包裝數(shù)量:3000子類別:Switch ICs電源電壓-最大:6.5 V電源電壓-最小:2.5 V零件號別名:HPA00714DBVR單位重量:36 mg


GaN能夠幫助雷達(dá)設(shè)計(jì)者克服功率、散熱、重量和尺寸、以及成本效益等諸多挑戰(zhàn),其具備寬的能帶隙,擁有極高的臨界擊穿電場.

具備出色的高溫可靠性、出眾的高供電電壓下的魯棒性,以及優(yōu)異的功率密度。

將碳化硅(SiC)作為 GaN的襯底,能實(shí)現(xiàn)較低的熱膨脹、較低的晶格失配,以及出色的熱導(dǎo)率,進(jìn)而充分發(fā)揮GaN的特性。

QFN封裝采用短鍵合引線,有助于降低引線電感,其暴露在外的銅裸芯片焊盤提供出色的熱學(xué)性能。



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