開關(guān)電源IC可在輸入電壓和負(fù)載下提供±3%的調(diào)整精度
發(fā)布時間:2021/6/21 19:51:07 訪問次數(shù):632
分立電路來檢測交流輸入的過零點,以控制主功率器件的接入切換,同時可降低開關(guān)損耗和浪涌電流。但這種方法需要很多元件,而且損耗很大,在某些情況下幾乎會消耗一半的待機(jī)功率預(yù)算。
LinkSwitch-TNZ IC可提供一流的輕載效率,支持為更多系統(tǒng)功能供電,同時符合嚴(yán)格的待機(jī)標(biāo)準(zhǔn)。
LinkSwitch-TNZ開關(guān)電源IC可在各種輸入電壓和負(fù)載下提供±3%的調(diào)整精度,使用外部偏置時的空載功耗低于30mW,并且IC待機(jī)電流低于100μA。新器件方案簡單易用,具有集成的軟啟動功能,并且適用于隔離和非隔離拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
制造商:Halo Microelectronics產(chǎn)品種類:電池管理RoHS: 產(chǎn)品:Charge Management電池類型:Li-Ion, Li-Polymer輸出電流:1.7 A工作電源電壓:6.3 V封裝 / 箱體:WLCSP-20安裝風(fēng)格:SMD/SMT商標(biāo):Halo Microelectronics產(chǎn)品類型:Battery Management3000子類別:PMIC - Power Management ICs單位重量:4.169 mg
制造商:Toshiba 產(chǎn)品種類:顯示驅(qū)動器和控制器 系列: 商標(biāo):Toshiba 產(chǎn)品類型:Display Drivers & Controllers 子類別:Driver ICs
由于該產(chǎn)品采用的是PIN二極管設(shè)計,因此還具有低于50 nsec的快速開關(guān)速度。
產(chǎn)品還具有冷切換性能且射頻連續(xù)波輸入功率高達(dá)100W,覆蓋DC至18GHz的寬帶頻段,采用反射式SPDT和SP4T PIN二極管設(shè)計,具備確保邏輯控制精確的TTL兼容驅(qū)動器電路以及緊湊的同軸封裝。所有元件均符合EAR99,并滿足海拔、振動、濕度和沖擊的一系列環(huán)境條件。
新型GaN PIN二極管開關(guān)具有出色的熱性能、功率容積比和高擊穿電壓,從而可以在小型和緊湊型封裝中體現(xiàn)出最高水準(zhǔn)的功率處理能力。
分立電路來檢測交流輸入的過零點,以控制主功率器件的接入切換,同時可降低開關(guān)損耗和浪涌電流。但這種方法需要很多元件,而且損耗很大,在某些情況下幾乎會消耗一半的待機(jī)功率預(yù)算。
LinkSwitch-TNZ IC可提供一流的輕載效率,支持為更多系統(tǒng)功能供電,同時符合嚴(yán)格的待機(jī)標(biāo)準(zhǔn)。
LinkSwitch-TNZ開關(guān)電源IC可在各種輸入電壓和負(fù)載下提供±3%的調(diào)整精度,使用外部偏置時的空載功耗低于30mW,并且IC待機(jī)電流低于100μA。新器件方案簡單易用,具有集成的軟啟動功能,并且適用于隔離和非隔離拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
制造商:Halo Microelectronics產(chǎn)品種類:電池管理RoHS: 產(chǎn)品:Charge Management電池類型:Li-Ion, Li-Polymer輸出電流:1.7 A工作電源電壓:6.3 V封裝 / 箱體:WLCSP-20安裝風(fēng)格:SMD/SMT商標(biāo):Halo Microelectronics產(chǎn)品類型:Battery Management3000子類別:PMIC - Power Management ICs單位重量:4.169 mg
制造商:Toshiba 產(chǎn)品種類:顯示驅(qū)動器和控制器 系列: 商標(biāo):Toshiba 產(chǎn)品類型:Display Drivers & Controllers 子類別:Driver ICs
由于該產(chǎn)品采用的是PIN二極管設(shè)計,因此還具有低于50 nsec的快速開關(guān)速度。
產(chǎn)品還具有冷切換性能且射頻連續(xù)波輸入功率高達(dá)100W,覆蓋DC至18GHz的寬帶頻段,采用反射式SPDT和SP4T PIN二極管設(shè)計,具備確保邏輯控制精確的TTL兼容驅(qū)動器電路以及緊湊的同軸封裝。所有元件均符合EAR99,并滿足海拔、振動、濕度和沖擊的一系列環(huán)境條件。
新型GaN PIN二極管開關(guān)具有出色的熱性能、功率容積比和高擊穿電壓,從而可以在小型和緊湊型封裝中體現(xiàn)出最高水準(zhǔn)的功率處理能力。
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