產(chǎn)品(LNK331x)封裝中具備的X電容放電功能的功率容積
發(fā)布時間:2021/6/21 19:52:41 訪問次數(shù):574
家用電器標(biāo)準(zhǔn)(1275)要求設(shè)備在待機或關(guān)斷模式下的功耗不得超過0.5W;能源之星的1.1版智能家居能源管理系統(tǒng)(SHEMS)標(biāo)準(zhǔn)將智能照明控制裝置的待機功耗限制在0.5W以下;而中國的國標(biāo)GB24849要求將微波爐關(guān)斷模式下的功耗限制在0.5W以下。
與分立元件設(shè)計相比,LinkSwitch-TNZ方案的元件數(shù)量可減少40%以上。
對于大功率的應(yīng)用場合,可以利用產(chǎn)品(LNK331x)封裝中具備的X電容放電功能,減小PCB占板空間,減少BOM元件數(shù)量并提高可靠性。
制造商:Cypress Semiconductor 產(chǎn)品種類:靜態(tài)隨機存取存儲器 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 最大時鐘頻率:- 接口類型:Parallel 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 電源電流—最大值:30 mA 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray 高度:1.2 mm 長度:18.4 mm 存儲類型:Volatile 類型:Asynchronous 寬度:12 mm 商標(biāo):Cypress Semiconductor 端口數(shù)量:1 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:SRAM 工廠包裝數(shù)量192 子類別:Memory & Data Storage 單位重量:2.188 g
高功率射頻和微波PIN二極管同軸封裝開關(guān),適用于商業(yè)和軍事雷達、干擾系統(tǒng)、醫(yī)學(xué)成像、通信和電子戰(zhàn)等領(lǐng)域。
Pasternack的新型大功率射頻和微波PIN二極管開關(guān)采用的是GaN半導(dǎo)體技術(shù)。
在制造過程中采用GaN技術(shù)的芯片和線材能夠確保電源性能優(yōu)良以及出色的功率容積比,適用于寬帶大功率應(yīng)用。該PIN二極管開關(guān)具有出色的熱性能和高擊穿電壓,能夠在寬帶、窄帶射頻和微波頻率下承受較高的輸入功率電平。
家用電器標(biāo)準(zhǔn)(1275)要求設(shè)備在待機或關(guān)斷模式下的功耗不得超過0.5W;能源之星的1.1版智能家居能源管理系統(tǒng)(SHEMS)標(biāo)準(zhǔn)將智能照明控制裝置的待機功耗限制在0.5W以下;而中國的國標(biāo)GB24849要求將微波爐關(guān)斷模式下的功耗限制在0.5W以下。
與分立元件設(shè)計相比,LinkSwitch-TNZ方案的元件數(shù)量可減少40%以上。
對于大功率的應(yīng)用場合,可以利用產(chǎn)品(LNK331x)封裝中具備的X電容放電功能,減小PCB占板空間,減少BOM元件數(shù)量并提高可靠性。
制造商:Cypress Semiconductor 產(chǎn)品種類:靜態(tài)隨機存取存儲器 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 最大時鐘頻率:- 接口類型:Parallel 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 電源電流—最大值:30 mA 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray 高度:1.2 mm 長度:18.4 mm 存儲類型:Volatile 類型:Asynchronous 寬度:12 mm 商標(biāo):Cypress Semiconductor 端口數(shù)量:1 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:SRAM 工廠包裝數(shù)量192 子類別:Memory & Data Storage 單位重量:2.188 g
高功率射頻和微波PIN二極管同軸封裝開關(guān),適用于商業(yè)和軍事雷達、干擾系統(tǒng)、醫(yī)學(xué)成像、通信和電子戰(zhàn)等領(lǐng)域。
Pasternack的新型大功率射頻和微波PIN二極管開關(guān)采用的是GaN半導(dǎo)體技術(shù)。
在制造過程中采用GaN技術(shù)的芯片和線材能夠確保電源性能優(yōu)良以及出色的功率容積比,適用于寬帶大功率應(yīng)用。該PIN二極管開關(guān)具有出色的熱性能和高擊穿電壓,能夠在寬帶、窄帶射頻和微波頻率下承受較高的輸入功率電平。
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