壓鑄模功率集成模塊嵌入了一個負溫系數(shù)(NTC)熱敏電阻
發(fā)布時間:2021/6/22 13:03:05 訪問次數(shù):550
密封和強固的封裝包括一個集成散熱片(距引腳6毫米),并提供高水平的耐腐蝕性。提供碳化硅 (SiC) 配置選項以進一步提高開關(guān)頻率和能效。
NCD57252雙通道隔離型IGBT/MOSFET門極驅(qū)動器提供5 kV的電隔離,可配置為雙下橋、雙上橋或半橋工作。NCD57252采用小型SOIC-16寬體封裝,接受邏輯電平輸入(3.3 V、5 V和15 V)。
該高電流器件(在米勒平臺電壓下,源電流4.0 A/灌電流6.0 A)適合高速工作,因為典型傳播延遲為60 ns。
制造商: Analog Devices Inc.
產(chǎn)品種類: IMU-慣性測量單元
RoHS: 詳細信息
封裝 / 箱體: BGA-100
商標: Analog Devices
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: IMUs - Inertial Measurement Units
工廠包裝數(shù)量: 1
子類別: Sensors
單位重量: 331.405 g
通過結(jié)合LPDDR5內(nèi)存和UFS 3.1 NAND(UFS: Universal Flash Storage,通用閃存存儲;NAND:閃存 )存儲,三星uMCP實現(xiàn)了更優(yōu)性能、更大容量和更高效率,讓更多的智能手機用戶暢享5G功能。
大規(guī)模生產(chǎn)全新智能手機內(nèi)存解決方案:基于UFS多芯片封裝(UFS-based Multichip Package,uMCP)的LPDDR5。比起上一代產(chǎn)品,三星uMCP集成了目前三星產(chǎn)品中最快的LPDDR5 DRAM和最新的UFS 3.1 NAND閃存,為更多的智能手機用戶提供旗艦性能。
壓鑄模功率集成模塊嵌入了一個負溫系數(shù) (NTC) 熱敏電阻,以在工作期間監(jiān)測器件溫度。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
密封和強固的封裝包括一個集成散熱片(距引腳6毫米),并提供高水平的耐腐蝕性。提供碳化硅 (SiC) 配置選項以進一步提高開關(guān)頻率和能效。
NCD57252雙通道隔離型IGBT/MOSFET門極驅(qū)動器提供5 kV的電隔離,可配置為雙下橋、雙上橋或半橋工作。NCD57252采用小型SOIC-16寬體封裝,接受邏輯電平輸入(3.3 V、5 V和15 V)。
該高電流器件(在米勒平臺電壓下,源電流4.0 A/灌電流6.0 A)適合高速工作,因為典型傳播延遲為60 ns。
制造商: Analog Devices Inc.
產(chǎn)品種類: IMU-慣性測量單元
RoHS: 詳細信息
封裝 / 箱體: BGA-100
商標: Analog Devices
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: IMUs - Inertial Measurement Units
工廠包裝數(shù)量: 1
子類別: Sensors
單位重量: 331.405 g
通過結(jié)合LPDDR5內(nèi)存和UFS 3.1 NAND(UFS: Universal Flash Storage,通用閃存存儲;NAND:閃存 )存儲,三星uMCP實現(xiàn)了更優(yōu)性能、更大容量和更高效率,讓更多的智能手機用戶暢享5G功能。
大規(guī)模生產(chǎn)全新智能手機內(nèi)存解決方案:基于UFS多芯片封裝(UFS-based Multichip Package,uMCP)的LPDDR5。比起上一代產(chǎn)品,三星uMCP集成了目前三星產(chǎn)品中最快的LPDDR5 DRAM和最新的UFS 3.1 NAND閃存,為更多的智能手機用戶提供旗艦性能。
壓鑄模功率集成模塊嵌入了一個負溫系數(shù) (NTC) 熱敏電阻,以在工作期間監(jiān)測器件溫度。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)