IMX3112 1:2總線擴(kuò)展器和DDR5 SPD集線器SPD5118
發(fā)布時(shí)間:2021/6/26 12:29:12 訪問(wèn)次數(shù):930
瑞薩I3C總線擴(kuò)展產(chǎn)品已通過(guò)合作伙伴AMI的MegaRAC® SP-X遠(yuǎn)程管理軟件和固件認(rèn)證。
I3C產(chǎn)品入選AMI認(rèn)證供應(yīng)商名單,客戶可輕松將其DDR5平臺(tái)和板卡從I2C或其它傳統(tǒng)的擴(kuò)展器規(guī)格遷移至全新高速I3C規(guī)格。
IMX3102 2:1總線多路復(fù)用器、IMX3112 1:2總線擴(kuò)展器和DDR5 SPD集線器SPD5118可為工程師帶來(lái)非常大的設(shè)計(jì)靈活性,I3C Basic作為系統(tǒng)管理總線可適用于各種控制平面設(shè)計(jì)的應(yīng)用場(chǎng)景,包括數(shù)據(jù)中心及服務(wù)器應(yīng)用、企業(yè)/工廠自動(dòng)化和通信設(shè)備。
制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品種類:模擬比較器 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 通道數(shù)量:2 Channel 輸出類型:Push-Pull 響應(yīng)時(shí)間:4 us 比較器類型:General Purpose 電源電壓-最小:2.7 V 電源電壓-最大:15 V 工作電源電流:20 uA Vos - 輸入偏置電壓 :5 mV Ib - 輸入偏流:400 fA 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 系列: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:1.45 mm 長(zhǎng)度:4.9 mm 產(chǎn)品:Analog Comparators 電源類型:Single 技術(shù):CMOS 類型:Micro Power Comparator 寬度:3.9 mm 商標(biāo):Texas Instruments 關(guān)閉:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:75 dB GBP-增益帶寬產(chǎn)品:- 工作電源電壓:3 V, 5 V, 9 V, 12 V 產(chǎn)品類型:Analog Comparators PSRR - 電源抑制比:80 dB 2500 子類別:Amplifier ICs Vcm - 共模電壓:- 0.2 V 電壓增益 dB:100 dB 單位重量:143 mg
主要特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)
I/O接口的雙向保護(hù)
ESD 保護(hù)性能滿足 IEC 61000-4-2 標(biāo)準(zhǔn)要求
接觸放電電壓最高可達(dá) 24 kV
浪涌電流負(fù)載能力高達(dá) 8 A,滿足IEC 61000-4-5 (8/20 μs) 標(biāo)準(zhǔn)要求
鉗位電壓:8 V
400 x 200 μm2 或 600 x 300 μm2的芯片級(jí)封裝,占用空間極小
超低封裝高度:僅100 μm
(素材來(lái)源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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制造商:Texas Instruments 產(chǎn)品種類:模擬比較器 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 通道數(shù)量:2 Channel 輸出類型:Push-Pull 響應(yīng)時(shí)間:4 us 比較器類型:General Purpose 電源電壓-最小:2.7 V 電源電壓-最大:15 V 工作電源電流:20 uA Vos - 輸入偏置電壓 :5 mV Ib - 輸入偏流:400 fA 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 系列: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:1.45 mm 長(zhǎng)度:4.9 mm 產(chǎn)品:Analog Comparators 電源類型:Single 技術(shù):CMOS 類型:Micro Power Comparator 寬度:3.9 mm 商標(biāo):Texas Instruments 關(guān)閉:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:75 dB GBP-增益帶寬產(chǎn)品:- 工作電源電壓:3 V, 5 V, 9 V, 12 V 產(chǎn)品類型:Analog Comparators PSRR - 電源抑制比:80 dB 2500 子類別:Amplifier ICs Vcm - 共模電壓:- 0.2 V 電壓增益 dB:100 dB 單位重量:143 mg
主要特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)
I/O接口的雙向保護(hù)
ESD 保護(hù)性能滿足 IEC 61000-4-2 標(biāo)準(zhǔn)要求
接觸放電電壓最高可達(dá) 24 kV
浪涌電流負(fù)載能力高達(dá) 8 A,滿足IEC 61000-4-5 (8/20 μs) 標(biāo)準(zhǔn)要求
鉗位電壓:8 V
400 x 200 μm2 或 600 x 300 μm2的芯片級(jí)封裝,占用空間極小
超低封裝高度:僅100 μm
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