前置驅(qū)動(dòng)器集成低速或高速旋轉(zhuǎn)與高扭矩控制30多個(gè)外部元件
發(fā)布時(shí)間:2021/6/27 22:25:38 訪問次數(shù):815
兩款系統(tǒng)級封裝(SiP)解決方案,擴(kuò)展電機(jī)控制解決方案組合,并簡化無刷直流(BLDC)電機(jī)控制設(shè)計(jì),適用于各類無線電池供電應(yīng)用系統(tǒng),如電動(dòng)工具、無人機(jī)、水泵、吸塵器、掃地機(jī)器人、風(fēng)扇等。
與同類解決方案相比,全新RAJ306001和RAJ306010電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC將多種功能整合至同一SiP解決方案,實(shí)現(xiàn)更好的低速或高速旋轉(zhuǎn)與高扭矩控制,同時(shí)最大限度減少占板面積并降低成本,從而為簡單、高效且安全的BLDC電機(jī)控制提供交鑰匙解決方案。
RAJ306001和RAJ306010是單封裝電機(jī)控制IC,可控制廣泛應(yīng)用于各類電池供電設(shè)備中三相BLDC電機(jī)。
制造商:GigaDevice產(chǎn)品種類:NOR閃存安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:USON-8系列:存儲容量:4 Mbit電源電壓-最小:1.65 V電源電壓-最大:2.1 V有源讀取電流(最大值):25 mA接口類型:SPI最大時(shí)鐘頻率:104 MHz組織:512 k x 8數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C封裝:Reel速度:104 MHz商標(biāo):GigaDevice電源電流—最大值:25 mA產(chǎn)品類型:NOR Flash子類別:Memory & Data Storage
多款“成功產(chǎn)品組合”顯示了RX23W模塊的獨(dú)特功能以及瑞薩產(chǎn)品陣容的廣度和深度。例如,醫(yī)療貼片的參考設(shè)計(jì)可借助RX23W的藍(lán)牙連接功能監(jiān)測體溫、血氧飽和度(SpO2)和心率。
一旦超過器件的額定電壓,就可能會發(fā)生劣化和損壞等可靠性方面的問題,這就需要對柵極驅(qū)動(dòng)電壓進(jìn)行高精度的控制,因此,這已成為阻礙GaN器件普及的重大瓶頸問題。
全新IC將RL78/G1F微控制器(MCU)和前置驅(qū)動(dòng)器集成至8mmx8mmQFN封裝中。高度集成的SiP可為客戶精減30多個(gè)外部元件,使解決方案面積縮小50%,降低控制系統(tǒng)成本。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
兩款系統(tǒng)級封裝(SiP)解決方案,擴(kuò)展電機(jī)控制解決方案組合,并簡化無刷直流(BLDC)電機(jī)控制設(shè)計(jì),適用于各類無線電池供電應(yīng)用系統(tǒng),如電動(dòng)工具、無人機(jī)、水泵、吸塵器、掃地機(jī)器人、風(fēng)扇等。
與同類解決方案相比,全新RAJ306001和RAJ306010電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC將多種功能整合至同一SiP解決方案,實(shí)現(xiàn)更好的低速或高速旋轉(zhuǎn)與高扭矩控制,同時(shí)最大限度減少占板面積并降低成本,從而為簡單、高效且安全的BLDC電機(jī)控制提供交鑰匙解決方案。
RAJ306001和RAJ306010是單封裝電機(jī)控制IC,可控制廣泛應(yīng)用于各類電池供電設(shè)備中三相BLDC電機(jī)。
制造商:GigaDevice產(chǎn)品種類:NOR閃存安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:USON-8系列:存儲容量:4 Mbit電源電壓-最小:1.65 V電源電壓-最大:2.1 V有源讀取電流(最大值):25 mA接口類型:SPI最大時(shí)鐘頻率:104 MHz組織:512 k x 8數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C封裝:Reel速度:104 MHz商標(biāo):GigaDevice電源電流—最大值:25 mA產(chǎn)品類型:NOR Flash子類別:Memory & Data Storage
多款“成功產(chǎn)品組合”顯示了RX23W模塊的獨(dú)特功能以及瑞薩產(chǎn)品陣容的廣度和深度。例如,醫(yī)療貼片的參考設(shè)計(jì)可借助RX23W的藍(lán)牙連接功能監(jiān)測體溫、血氧飽和度(SpO2)和心率。
一旦超過器件的額定電壓,就可能會發(fā)生劣化和損壞等可靠性方面的問題,這就需要對柵極驅(qū)動(dòng)電壓進(jìn)行高精度的控制,因此,這已成為阻礙GaN器件普及的重大瓶頸問題。
全新IC將RL78/G1F微控制器(MCU)和前置驅(qū)動(dòng)器集成至8mmx8mmQFN封裝中。高度集成的SiP可為客戶精減30多個(gè)外部元件,使解決方案面積縮小50%,降低控制系統(tǒng)成本。
(素材來源:ttic和eccn.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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