內(nèi)部基準(zhǔn)電壓的16位24路SAR ADC支持PCB背面安裝
發(fā)布時(shí)間:2021/6/29 13:05:53 訪問(wèn)次數(shù):1019
MCU提供128KB SRAM用于數(shù)據(jù)處理和連接堆棧,超低動(dòng)態(tài)和靜態(tài)功耗和用于低功耗應(yīng)用的智能外設(shè).
先進(jìn)的LPI2C和LPSPI支持異步DMA主數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換,用于靈活和高性能接口的FlexIO,具有AES/DES/3DES/MD5/SHA和TRNG的加密加速度,不需要外接晶體的USB FS 2.0器件操作.處理器的核ArmR CortexR-M0+正常模式工作高達(dá)72MHz,高速模式高達(dá)96MHz.
器件模擬模塊包括有內(nèi)部基準(zhǔn)電壓的16位24路SAR ADC,兩個(gè)高速模擬比較器,每個(gè)包含6位DAC和可編程基準(zhǔn)輸入,一個(gè)12位DAC和1.2V與2.1V基準(zhǔn)電壓(Vref).
為了滿足特定應(yīng)用的需求,提供了多種附加選擇,包括保形涂層(C),低泄漏電流(G),PMBus接口(I),反向排氣(F2),主從式操作(P3)和反向邏輯警報(bào)(W1)。
為了節(jié)省電路板空間,PNA系列采用小尺寸設(shè)計(jì),尺寸為13mm×12.35mm×6.2mm(0.51in×0.48in×0.24in)。從而可支持PCB背面安裝,進(jìn)一步減少空間需求。
轉(zhuǎn)換器的價(jià)格具有競(jìng)爭(zhēng)力,可提供具有吸引力的性價(jià)比。它提供的平均故障間隔時(shí)間(MTBF)高達(dá)7184萬(wàn)小時(shí)。
MCU提供128KB SRAM用于數(shù)據(jù)處理和連接堆棧,超低動(dòng)態(tài)和靜態(tài)功耗和用于低功耗應(yīng)用的智能外設(shè).
先進(jìn)的LPI2C和LPSPI支持異步DMA主數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換,用于靈活和高性能接口的FlexIO,具有AES/DES/3DES/MD5/SHA和TRNG的加密加速度,不需要外接晶體的USB FS 2.0器件操作.處理器的核ArmR CortexR-M0+正常模式工作高達(dá)72MHz,高速模式高達(dá)96MHz.
器件模擬模塊包括有內(nèi)部基準(zhǔn)電壓的16位24路SAR ADC,兩個(gè)高速模擬比較器,每個(gè)包含6位DAC和可編程基準(zhǔn)輸入,一個(gè)12位DAC和1.2V與2.1V基準(zhǔn)電壓(Vref).
為了滿足特定應(yīng)用的需求,提供了多種附加選擇,包括保形涂層(C),低泄漏電流(G),PMBus接口(I),反向排氣(F2),主從式操作(P3)和反向邏輯警報(bào)(W1)。
為了節(jié)省電路板空間,PNA系列采用小尺寸設(shè)計(jì),尺寸為13mm×12.35mm×6.2mm(0.51in×0.48in×0.24in)。從而可支持PCB背面安裝,進(jìn)一步減少空間需求。
轉(zhuǎn)換器的價(jià)格具有競(jìng)爭(zhēng)力,可提供具有吸引力的性價(jià)比。它提供的平均故障間隔時(shí)間(MTBF)高達(dá)7184萬(wàn)小時(shí)。
熱門點(diǎn)擊
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- 導(dǎo)通電阻與輸出電荷及隨機(jī)號(hào)碼發(fā)生器(TRNG
- 內(nèi)部基準(zhǔn)電壓的16位24路SAR ADC支持
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推薦技術(shù)資料
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