將USB Type-C端口作為唯一的輸入電源選項(xiàng)。雖然USB-C®技術(shù)可以提供高功率和高數(shù)據(jù)速率，但其安裝范圍必需在離AC插座最遠(yuǎn)3米的距離內(nèi)。

隨著以太網(wǎng)供電（PoE）日益普遍，通過標(biāo)準(zhǔn)以太網(wǎng)電纜供電成為一種更普遍、更方便、同時也是最實(shí)用的解決方案，可以在最遠(yuǎn)100米的距離內(nèi)提供電源和數(shù)據(jù)。

高功率的PoE轉(zhuǎn)USB-C電源和數(shù)據(jù)適配器，能通過PoE基礎(chǔ)設(shè)施支持的以太網(wǎng)電纜提供高達(dá)60W的USB輸出功率。

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerPAK-SO-8 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:10.3 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:22 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:27 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:4.5 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.04 mm 長度:6.15 mm 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:5.15 mm 商標(biāo):Vishay Semiconductors 正向跨導(dǎo) - 最小值:26 S 下降時間:12 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:10 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:25 ns 典型接通延遲時間:10 ns 零件號別名:SI7850DP-E3 單位重量:506.600 mg

RSL10 智能拍攝相機(jī)平臺和RSL10傳感器開發(fā)套件是完整的節(jié)點(diǎn)到云的方案，含先進(jìn)的藍(lán)牙低功耗聯(lián)接和傳感技術(shù)。

RSL10 智能拍攝相機(jī)平臺專為事件觸發(fā)式成像而設(shè)計(jì)，結(jié)合低功耗圖像捕獲功能和對基于云的人工智能(AI)分析的支持。

開發(fā)人員使用RSL10智能拍攝相機(jī)平臺，可創(chuàng)建成像應(yīng)用，當(dāng)由時間或環(huán)境變化 (如運(yùn)動、濕度或溫度等)引起的事件觸發(fā)時，自動拍照。

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