新一代電感耦合等離子體（ICP）刻蝕設備Primo Twin-Star®，用于IC器件前道和后道制程導電/電介質膜的刻蝕應用。

單臺反應器的電感耦合等離子體（ICP）刻蝕技術和雙臺反應器的Primo平臺，Primo Twin-Star®為電介質前道/后道制程、多晶硅刻蝕、DTI和BSI刻蝕等提供了高性價比的刻蝕解決方案。

現(xiàn)在的制造商對于生產成本日益敏感，我們的目標是為客戶提供技術創(chuàng)新、高生產率和高性價比的ICP刻蝕解決方案。

制造商:ON Semiconductor產品種類:MOSFETRoHS: 技術:Si安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SO-8晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:60 VId-連續(xù)漏極電流:250 ARds On-漏源導通電阻:1.13 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:1.2 VQg-柵極電荷:91 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 175 CPd-功率耗散:167 W, 3.8 W通道模式:Enhancement資格:AEC-Q101封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single晶體管類型:1 N-Channel商標:ON Semiconductor正向跨導 - 最小值:151 S下降時間:18 ns產品類型:MOSFET上升時間:51 ns1500子類別:MOSFETs典型關閉延遲時間:47 ns典型接通延遲時間:19 ns單位重量:750 mg

以整合數(shù)字簽名功能與區(qū)塊鏈技術的“InnoBTS™ SSD”（Blockchain Technology Storage）解決方案，進一步強化智能物聯(lián)設備的數(shù)據(jù)正確性與最高等級保護。

透過區(qū)塊鏈分散賬本的特性，確保數(shù)據(jù)正確性與高度完整性，將特別適用于如智慧電表，智能無人商店，數(shù)字身份辨識等各種物聯(lián)應用。

InnoBTS™ SSD采用非對稱性密碼學的公開數(shù)據(jù)加密技術，可產生專屬的私鑰（private key），并透過私鑰和公鑰的發(fā)送配對，啟動數(shù)字簽名機制作為資料認證。

(素材來源：ttic和eccn.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）