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分立元件并消耗50-100mW連續(xù)功率消耗不足5mW

發(fā)布時(shí)間:2021/7/5 21:40:21 訪問(wèn)次數(shù):364

LinkSwitch-TNZ在過(guò)零點(diǎn)檢測(cè)時(shí)消耗不足5mW,與那些需要十個(gè)或更多分立元件并消耗50-100mW的連續(xù)功率的方法相比， LinkSwitch-TNZ IC可節(jié)省更多待機(jī)功率.

電燈開(kāi)關(guān)、調(diào)光器、傳感器和插頭等設(shè)備使用繼電器或可控硅周期性地與交流線路連接和斷開(kāi)。

通常需要采用分立電路來(lái)檢測(cè)交流輸入的過(guò)零點(diǎn)，以控制主功率器件的接入切換，同時(shí)可降低開(kāi)關(guān)損耗和浪涌電流。

這些應(yīng)用還需要輔助電源為無(wú)線連接、門(mén)極驅(qū)動(dòng)器、傳感器和顯示器等功能供電。


MOSFET

8,621

電流傳感電阻器 - SMD

2,690

固定電感器

1,827

固定電感器

3,243

標(biāo)準(zhǔn)LED-SMD

82,484

多層陶瓷電容器MLCC - SMD/SMT

1,058,508

共模扼流圈/濾波器

3,475

馬達(dá)/運(yùn)動(dòng)/點(diǎn)火控制器和驅(qū)動(dòng)器

1

電源管理IC開(kāi)發(fā)工具

79

輸出電壓可通過(guò)I2C串口動(dòng)態(tài)進(jìn)行調(diào)整.MAX77831工作在強(qiáng)迫PWM(FPWM)模式.器件默認(rèn)開(kāi)關(guān)頻率為1.8MHz,通過(guò)I2C接口可選擇為1.5MHz和1.2MHz.器件的保護(hù)特性有欠壓鎖住(UVLO),過(guò)流保護(hù)(OCP),過(guò)壓保護(hù)(OVP)和熱關(guān)斷(THS).器件采用 2.86mm x 2.06mm 35引腳WLP封裝.

主要用在高達(dá)16V輸入的非電池供電應(yīng)用和具有EN控制的高達(dá)16V輸入的電池供電的應(yīng)用.

參考設(shè)計(jì)采用Wolfspeed 650 V C3M™ SiC MOSFET具有高頻開(kāi)關(guān)性能,得到小型和輕的成本效益的系統(tǒng).峰值效率為96.5%,功率密度為53 W/in^3或3 KW/L.

(素材來(lái)源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）

LinkSwitch-TNZ在過(guò)零點(diǎn)檢測(cè)時(shí)消耗不足5mW,與那些需要十個(gè)或更多分立元件并消耗50-100mW的連續(xù)功率的方法相比， LinkSwitch-TNZ IC可節(jié)省更多待機(jī)功率.

電燈開(kāi)關(guān)、調(diào)光器、傳感器和插頭等設(shè)備使用繼電器或可控硅周期性地與交流線路連接和斷開(kāi)。

通常需要采用分立電路來(lái)檢測(cè)交流輸入的過(guò)零點(diǎn)，以控制主功率器件的接入切換，同時(shí)可降低開(kāi)關(guān)損耗和浪涌電流。

這些應(yīng)用還需要輔助電源為無(wú)線連接、門(mén)極驅(qū)動(dòng)器、傳感器和顯示器等功能供電。


MOSFET

8,621

電流傳感電阻器 - SMD

2,690

固定電感器

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多層陶瓷電容器MLCC - SMD/SMT

1,058,508

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輸出電壓可通過(guò)I2C串口動(dòng)態(tài)進(jìn)行調(diào)整.MAX77831工作在強(qiáng)迫PWM(FPWM)模式.器件默認(rèn)開(kāi)關(guān)頻率為1.8MHz,通過(guò)I2C接口可選擇為1.5MHz和1.2MHz.器件的保護(hù)特性有欠壓鎖住(UVLO),過(guò)流保護(hù)(OCP),過(guò)壓保護(hù)(OVP)和熱關(guān)斷(THS).器件采用 2.86mm x 2.06mm 35引腳WLP封裝.

主要用在高達(dá)16V輸入的非電池供電應(yīng)用和具有EN控制的高達(dá)16V輸入的電池供電的應(yīng)用.

參考設(shè)計(jì)采用Wolfspeed 650 V C3M™ SiC MOSFET具有高頻開(kāi)關(guān)性能,得到小型和輕的成本效益的系統(tǒng).峰值效率為96.5%,功率密度為53 W/in^3或3 KW/L.

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