1700V耐壓SiC MOSFET和工業(yè)設(shè)備的輔助電源集成于一枚封裝中

發(fā)布時(shí)間:2021/7/6 13:12:34 訪問次數(shù):599

在車身應(yīng)用方面，英飛凌提供各類傳感器和功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，包括電機(jī)控制解決方案、智能配電和 LED 解決方案等。

Traveo II 車身微控制器系列進(jìn)一步完善現(xiàn)有產(chǎn)品組合，為新興汽車應(yīng)用提供所需的高性能、可擴(kuò)展性、低功耗和安全性。

“作為英飛凌‘從產(chǎn)品到系統(tǒng)’戰(zhàn)略的重要組成部分，Traveo II 助力我們?yōu)檐嚿響?yīng)用提供全面的系統(tǒng)性解決方案”。

制造商:ROHM Semiconductor 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 預(yù)偏置配置:Single 晶體管極性:NPN 典型輸入電阻器:1 kOhms 典型電阻器比率:0.1 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-59-3 直流集電極/Base Gain hfe Min:82 集電極連續(xù)電流:500 mA 峰值直流集電極電流:500 mA Pd-功率耗散:200 mW 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:82 高度:1.1 mm 長度:2.9 mm 寬度:1.6 mm 商標(biāo):ROHM Semiconductor 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:Transistors 零件號別名:DTD113ZK 單位重量:8 mg

ROHM將繼續(xù)開發(fā)SiC等先進(jìn)的功率半導(dǎo)體*4和先進(jìn)的模擬控制IC的同時(shí)，不斷優(yōu)化這些產(chǎn)品并提供更好的解決方案，為工業(yè)設(shè)備的節(jié)能和系統(tǒng)優(yōu)化貢獻(xiàn)力量。

“BM2SC12xFP2-LBZ”將1700V耐壓SiC MOSFET和專為工業(yè)設(shè)備的輔助電源而優(yōu)化的SiC MOSFET驅(qū)動用柵極驅(qū)動電路等集成于一枚封裝中。

通過實(shí)現(xiàn)以下特點(diǎn)，使節(jié)能型AC/DC轉(zhuǎn)換器的開發(fā)更容易，不僅可以顯著降低工廠的安裝成本，還可為工業(yè)設(shè)備提供更小型、更高可靠性及更節(jié)能的解決方案。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）

在車身應(yīng)用方面，英飛凌提供各類傳感器和功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，包括電機(jī)控制解決方案、智能配電和 LED 解決方案等。

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