4D成像雷達(dá)芯片180°視場角加熱器控制開關(guān)NCAP ADAS要求
發(fā)布時(shí)間:2021/7/7 12:42:44 訪問次數(shù):332
新一代HMI(Human Machine Interface)產(chǎn)品“靜電顯示器面板”,該產(chǎn)品可進(jìn)行車載導(dǎo)航系統(tǒng)、加熱器控制開關(guān)等各類提示信息的直覺操作,將為安全舒適出行作貢獻(xiàn)。
目前正在為實(shí)現(xiàn)2024年的實(shí)用化而推進(jìn)開發(fā)和提案。
隨著CASE(Connected, Autonomous, Shared & Services, Electric)和MaaS(Mobility as a Service)的發(fā)展,對安心舒適的出行空間提出了越來越高的要求。
支持9種不同的歐洲NCAP ADAS要求,用于保護(hù)行人、自行車騎手和摩托車騎手。
制造商:ON Semiconductor 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:WDFN-8 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:20 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:22 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.2 V Qg-柵極電荷:2.9 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:20 W 通道模式:Enhancement 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 晶體管類型:1 N-Channel 商標(biāo):ON Semiconductor 正向跨導(dǎo) - 最小值:20 S 下降時(shí)間:23 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:25 ns 工廠包裝數(shù)量:1500 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:13 ns 典型接通延遲時(shí)間:6.5 ns 單位重量:29.570 mg
單芯片4D成像雷達(dá),其測量距離可達(dá)300米。該4D成像雷達(dá)芯片還提供180°視場角,無需外部處理器即可工作。
為此,東海理化與阿爾卑斯阿爾派從2020年10月起,發(fā)揮出各自擁有的技術(shù)與產(chǎn)品實(shí)力,致力共同開展了以新一代HMI相關(guān)產(chǎn)品為中心的產(chǎn)品開發(fā)※1。
基于集成電路學(xué),雷達(dá)也能掃描周圍環(huán)境。因此,雷達(dá)已經(jīng)成為防撞等應(yīng)用的關(guān)鍵傳感器,憑借其可在黑暗和不利的天氣條件下工作,以及相對經(jīng)濟(jì)等優(yōu)勢特征。
新一代HMI(Human Machine Interface)產(chǎn)品“靜電顯示器面板”,該產(chǎn)品可進(jìn)行車載導(dǎo)航系統(tǒng)、加熱器控制開關(guān)等各類提示信息的直覺操作,將為安全舒適出行作貢獻(xiàn)。
目前正在為實(shí)現(xiàn)2024年的實(shí)用化而推進(jìn)開發(fā)和提案。
隨著CASE(Connected, Autonomous, Shared & Services, Electric)和MaaS(Mobility as a Service)的發(fā)展,對安心舒適的出行空間提出了越來越高的要求。
支持9種不同的歐洲NCAP ADAS要求,用于保護(hù)行人、自行車騎手和摩托車騎手。
制造商:ON Semiconductor 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:WDFN-8 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:20 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:22 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.2 V Qg-柵極電荷:2.9 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:20 W 通道模式:Enhancement 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 晶體管類型:1 N-Channel 商標(biāo):ON Semiconductor 正向跨導(dǎo) - 最小值:20 S 下降時(shí)間:23 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:25 ns 工廠包裝數(shù)量:1500 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:13 ns 典型接通延遲時(shí)間:6.5 ns 單位重量:29.570 mg
單芯片4D成像雷達(dá),其測量距離可達(dá)300米。該4D成像雷達(dá)芯片還提供180°視場角,無需外部處理器即可工作。
為此,東海理化與阿爾卑斯阿爾派從2020年10月起,發(fā)揮出各自擁有的技術(shù)與產(chǎn)品實(shí)力,致力共同開展了以新一代HMI相關(guān)產(chǎn)品為中心的產(chǎn)品開發(fā)※1。
基于集成電路學(xué),雷達(dá)也能掃描周圍環(huán)境。因此,雷達(dá)已經(jīng)成為防撞等應(yīng)用的關(guān)鍵傳感器,憑借其可在黑暗和不利的天氣條件下工作,以及相對經(jīng)濟(jì)等優(yōu)勢特征。
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