LDMOS晶體管技術(shù)并利用高度集成，針對(duì)下一代小基站基礎(chǔ)設(shè)施和大規(guī)模MIMO實(shí)施提供了全面的射頻功率放大器器件組合。

LGA系列功率放大器采用50Ω輸入/輸出的小尺寸（尺寸為7mm×7mm）封裝供貨，能夠?qū)崿F(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的性能參數(shù)。

其所表現(xiàn)出的高效率數(shù)值（某些型號(hào)在9.0dB峰值功率回退時(shí)>40%）有助于保持低功耗水平，這意味著它們只產(chǎn)生很少的熱量，從而支持更小、更不明顯的基站。

制造商:ON Semiconductor 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:WDFN-8 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:20 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:22 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.2 V Qg-柵極電荷:2.9 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:20 W 通道模式:Enhancement 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 晶體管類型:1 N-Channel 商標(biāo):ON Semiconductor 正向跨導(dǎo) - 最小值:20 S 下降時(shí)間:23 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:25 ns 工廠包裝數(shù)量:1500 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:13 ns 典型接通延遲時(shí)間:6.5 ns 單位重量:29.570 mg

Tetra 以同步快門(mén)設(shè)計(jì)為基礎(chǔ)，因此可以通過(guò)真實(shí)的相關(guān)雙采樣 (CDS) 實(shí)現(xiàn)低讀取噪聲以及高動(dòng)態(tài)范圍。每個(gè)通道都有其各自的曝光控制，因此白平衡很容易操作。

陶瓷 LCC 封裝使其可在較大范圍的操作溫度下保持高性能和高可靠性。傳感器數(shù)據(jù)端口具有較高的信號(hào)完整性以及簡(jiǎn)單的接口便于實(shí)現(xiàn)快速系統(tǒng)集成。

分選行業(yè)已開(kāi)始將傳統(tǒng)技術(shù)從彩色升級(jí)到多光譜成像。Tetra 擁有獨(dú)特的 RGB + NIR 特性，它的設(shè)計(jì)融合了提高食品分選質(zhì)量和安全性的下一代技術(shù)。

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