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新型Qspeed二極管的Qrr是次優(yōu)超快速硅二極管的一半

發(fā)布時間:2021/7/8 20:02:59 訪問次數(shù):919

SC230AI/SC430AI/SC530AI作為思特威推出的高階成像系列三款新產(chǎn)品.

600V 12A的Qspeed二極管,在硅二極管當中具有業(yè)界最低的反向恢復電荷(Qrr)特性。在25°C時,Qrr僅為14nC,該二極管可提高車載充電器PFC級的效率,可顯著降低PFC MOSFET的溫升。

通過AEC-Q101認證的QH12TZ600Q具有與碳化硅(SiC)器件相同的低開關損耗性能,可是并沒有因為采用昂貴的技術(shù)而帶來成本增加的缺點。

新型Qspeed二極管的Qrr是次優(yōu)超快速硅二極管的一半,可實現(xiàn)非常高的系統(tǒng)效率。

制造商:ROHM Semiconductor 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 預偏置 配置:Single 晶體管極性:NPN 典型輸入電阻器:1 kOhms 典型電阻器比率:0.1 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-59-3 直流集電極/Base Gain hfe Min:82 集電極連續(xù)電流:500 mA 峰值直流集電極電流:500 mA Pd-功率耗散:200 mW 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:82 高度:1.1 mm 長度:2.9 mm 寬度:1.6 mm 商標:ROHM Semiconductor 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:Transistors 零件號別名:DTD113ZK 單位重量:8 mg

在尺寸受限的設計中,LX2162A、LX2122A和LX2082A可實現(xiàn)與LX2xx0A器件相當?shù)奶幚砟芰,但尺寸大約只有其四分之一。

LX2xx2A處理器采用了低功耗的16nm FinFET工藝技術(shù),能夠以有限的尺寸支持出色的性能,適用于網(wǎng)絡接口卡和定制子卡等小型板卡。

這些多功能處理器可提供多達16個以太網(wǎng)端口、多達24個PCIe Gen4通道和24個工作頻率可達25GHz的SerDes通道。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)


SC230AI/SC430AI/SC530AI作為思特威推出的高階成像系列三款新產(chǎn)品.

600V 12A的Qspeed二極管,在硅二極管當中具有業(yè)界最低的反向恢復電荷(Qrr)特性。在25°C時,Qrr僅為14nC,該二極管可提高車載充電器PFC級的效率,可顯著降低PFC MOSFET的溫升。

通過AEC-Q101認證的QH12TZ600Q具有與碳化硅(SiC)器件相同的低開關損耗性能,可是并沒有因為采用昂貴的技術(shù)而帶來成本增加的缺點。

新型Qspeed二極管的Qrr是次優(yōu)超快速硅二極管的一半,可實現(xiàn)非常高的系統(tǒng)效率。

制造商:ROHM Semiconductor 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 預偏置 配置:Single 晶體管極性:NPN 典型輸入電阻器:1 kOhms 典型電阻器比率:0.1 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-59-3 直流集電極/Base Gain hfe Min:82 集電極連續(xù)電流:500 mA 峰值直流集電極電流:500 mA Pd-功率耗散:200 mW 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:82 高度:1.1 mm 長度:2.9 mm 寬度:1.6 mm 商標:ROHM Semiconductor 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:Transistors 零件號別名:DTD113ZK 單位重量:8 mg

在尺寸受限的設計中,LX2162A、LX2122A和LX2082A可實現(xiàn)與LX2xx0A器件相當?shù)奶幚砟芰,但尺寸大約只有其四分之一。

LX2xx2A處理器采用了低功耗的16nm FinFET工藝技術(shù),能夠以有限的尺寸支持出色的性能,適用于網(wǎng)絡接口卡和定制子卡等小型板卡。

這些多功能處理器可提供多達16個以太網(wǎng)端口、多達24個PCIe Gen4通道和24個工作頻率可達25GHz的SerDes通道。

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