10款適用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源的新一代80V N溝道功率MOSFET“U-MOSⅩ-H系列”產(chǎn)品。

共提供三種類型的封裝： TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、 TK5R3E08QM 和 TK7R0E08QM采用雙列直插式封裝TO-220.

這降低了漏源導(dǎo)通電阻x柵極開關(guān)電荷的值（開關(guān)應(yīng)用的品質(zhì)因數(shù)）。

TK2R4A08QM、 TK3R2A08QM、 TK5R1A08QM 和 TK6R8A08QM采用絕緣型直插式封裝TO-220SIS；以及TK5R1P08QM 和 TK6R9P08QM采用貼片式封裝DPAK。

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: ATPAK-3

晶體管極性: P-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續(xù)漏極電流: 28 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 75 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V

Qg-柵極電荷: 73 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 70 W

通道模式: Enhancement

封裝: Reel

配置: Single

系列: ATP301

晶體管類型: 1 P-Channel

商標: ON Semiconductor

下降時間: 190 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 130 ns

工廠包裝數(shù)量: 3000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 330 ns

典型接通延遲時間: 32 ns

單位重量: 4 g

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