650V功率GaN FET器件系列開(kāi)始批量供貨。與之前的技術(shù)和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手器件相比，新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢(shì)。

全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS®鈦金級(jí)效率認(rèn)證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。

該器件也非常適合相同功率范圍內(nèi)的太陽(yáng)能逆變器和伺服驅(qū)動(dòng)器。

制造商:ON Semiconductor 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:WDFN-8 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:14 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:52 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V Qg-柵極電荷:25 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:21 W 通道模式:Enhancement 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 系列:NVTFS5116PL 晶體管類型:1 P-Channel 商標(biāo):ON Semiconductor 正向跨導(dǎo) - 最小值:11 S 產(chǎn)品類型:MOSFET 工廠包裝數(shù)量:5000 子類別:MOSFETs 單位重量:29.570 mg

完整的1200 V TRENCHSTOP IGBT7 EasyPIM™和EasyPACK™產(chǎn)品系列。可根據(jù)客戶需要提供Press FIT壓接版本，焊接引腳和TIM版本。

此頻率允許您使用DRV5032的低功耗選項(xiàng)，該器件僅消耗約0.5μA的靜態(tài)電流，不會(huì)電池使用時(shí)間產(chǎn)生嚴(yán)重影響。

這樣可以大大降低應(yīng)用中的損耗，特別是對(duì)于通常以中等開(kāi)關(guān)頻率工作的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器而言。 全新功率模塊允許的最高過(guò)載結(jié)溫為175°C。此外，它們有更軟的開(kāi)關(guān)特性。