新的電流額定值模塊。這使得Easy 1B和2B產(chǎn)品系列更趨完備，現(xiàn)在可通過結(jié)合最新的芯片技術(shù)，以PIM拓?fù)鋵崿F(xiàn)高達(dá)11 kW的功率解決方案，或以六單元拓?fù)鋵崿F(xiàn)高達(dá)22 kW的功率解決方案。

客戶可以這樣選擇：要么用IGBT7技術(shù)替換IGBT4來提高使用Easy 2B模塊的系統(tǒng)功率，要么在特定情況下用Easy 1B IGBT7替換Easy 2B IGBT4，減小獲得相同功率所需的占板面積。

TRENCHSTOP IGBT7 Easy模塊一樣，新的電流額定值的模塊完全符合工業(yè)驅(qū)動的設(shè)計需要。

制造商:ON Semiconductor 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:WDFN-8 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:6 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:260 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V Qg-柵極電荷:6 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 175 C Pd-功率耗散:18 W 通道模式:Enhancement 資格:AEC-Q101 封裝:Cut Tape 封裝:Reel 配置:Single 系列:NVTFS5124PL 晶體管類型:1 P-Channel 商標(biāo):ON Semiconductor 產(chǎn)品類型:MOSFET 工廠包裝數(shù)量:1500 子類別:MOSFETs 單位重量:17 mg

切換器配有錯誤處理、先進(jìn)的錯誤報告等功能，以及帶有糾錯功能的端到端數(shù)據(jù)保護(hù)功能，這是可靠性、可用性與服務(wù)性 (RAS) 方面的關(guān)鍵功能。

在熱插入埠未使用時，將維持在低功耗狀態(tài)。在滿載條件和 80°C 的接面溫度下，PI7C9X3G808GP 的功耗僅為 2.9W。

Diodes Incorporated 的PI7C9X3G808GP采用 196 球 BGA 格式高效能覆晶封裝方式，尺寸為 15mm x 15mm。