場效應(yīng)管MOSFET是開關(guān)電源中核心的器件之一，MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源的各種拓?fù)浼軜?gòu)中，也是影響電源可靠性的重要器件。

PFC電感L1上都并聯(lián)著1個二極管D1，該二極管D1一方面降低對PFC電感和升壓二極管的浪涌沖擊，另一方面保護PFC開關(guān)管。

通過對PFC MOS管進行測試和深入分析發(fā)現(xiàn)，MOS管的寄生參數(shù)對振蕩起著關(guān)鍵作用。通過電路實驗?zāi)M和仿真，證實了這一現(xiàn)象產(chǎn)生的根本原因為PFC MOS管的等效電路。

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-363-6 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:50 V Id-連續(xù)漏極電流:305 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:490 mV Qg-柵極電荷:400 pC 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:250 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 高度:1 mm 長度:2.2 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 晶體管類型:2 N-Channel 寬度:1.35 mm 商標(biāo):Diodes Incorporated 正向跨導(dǎo) - 最小值:200 mS 下降時間:8.4 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:1.8 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:14.4 ns 典型接通延遲時間:2.1 ns 單位重量:7.500 mg

第二代近紅外感度NIR+技術(shù)將產(chǎn)品850nm/940nm下的QE再次拔尖至新高度.

此外兼具動態(tài)行交疊HDR與PixGain HDR®兩種HDR模式，使SC850SL擁有更出色的高動態(tài)范圍表現(xiàn)，從而讓智能影像覆蓋到全時段及更多的應(yīng)用場景。

4K超星光級夜視全彩高端產(chǎn)品，SC850SL以Stack+RS架構(gòu)輔以思特威創(chuàng)新工藝、第二代近紅外感度NIR+技術(shù)等諸多前沿技術(shù)加持，使其得以適用于更開闊的應(yīng)用場景并在夜間提供尤為出色的4K超星光級夜視全彩影像。

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