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100dB的動態(tài)行交疊HDR與MOS管漏極磁珠同時使用

發(fā)布時間:2021/7/16 17:56:20 訪問次數(shù):871

800萬像素圖像傳感器SC850SL,以4K高分辨率提升攝像頭成像清晰度以及捕捉圖像細節(jié)能力,無論是白晝還是夜晚,均可在視野寬闊的場景中清晰捕捉人臉及車牌等后端需求關鍵信息,實現(xiàn)高清4K影像。

SC850SL不僅能夠支持高達100dB的動態(tài)行交疊HDR(Staggered HDR),還可在保有800萬高分辨率的同時,支持思特威創(chuàng)新的PixGain HDR®,從而有效解決攝像頭捕捉運動物體場景中HDR合成帶來的鬼影問題。

制造商:YAGEO 產品種類:厚膜電阻器 - SMD RoHS: 詳細信息 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 系列:RC 電阻:47 kOhms 功率額定值:250 mW (1/4 W) 容差:5 % 溫度系數(shù):100 PPM / C 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 155 C 電壓額定值:200 V 外殼代碼 - in:1206 外殼代碼 - mm:3216 應用:High Reliability 特點:- 高度:0.55 mm 長度:3.1 mm 產品:Thick Film Resistors SMD 技術:Thick Film 端接類型:SMD/SMT 類型:General Purpose 寬度:1.6 mm 商標:YAGEO 安裝風格:PCB Mount 產品類型:Thick Film Resistors 工廠包裝數(shù)量:5000 子類別:Resistors 單位重量:16.200 mg

Cds通過Rdson放電,Ld、Ls和Lg不參與諧振.

在PFC MOS管的漏極(D極)串聯(lián)磁珠,由于磁珠表現(xiàn)為高頻阻抗特性,用于抑制快速開關機時MOS引起的串聯(lián)諧振。

為了解決因PFC MOS引起的EMC問題,通常在PFC MOS管的漏-源極(D-S極)間并聯(lián)(47~220) pF的高壓電容,為了避免與MOS內部的寄生電感引起振蕩,盡量不增加此電容。若因EMC必需增加時,需與MOS管漏極磁珠同時使用。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)

800萬像素圖像傳感器SC850SL,以4K高分辨率提升攝像頭成像清晰度以及捕捉圖像細節(jié)能力,無論是白晝還是夜晚,均可在視野寬闊的場景中清晰捕捉人臉及車牌等后端需求關鍵信息,實現(xiàn)高清4K影像。

SC850SL不僅能夠支持高達100dB的動態(tài)行交疊HDR(Staggered HDR),還可在保有800萬高分辨率的同時,支持思特威創(chuàng)新的PixGain HDR®,從而有效解決攝像頭捕捉運動物體場景中HDR合成帶來的鬼影問題。

制造商:YAGEO 產品種類:厚膜電阻器 - SMD RoHS: 詳細信息 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 系列:RC 電阻:47 kOhms 功率額定值:250 mW (1/4 W) 容差:5 % 溫度系數(shù):100 PPM / C 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 155 C 電壓額定值:200 V 外殼代碼 - in:1206 外殼代碼 - mm:3216 應用:High Reliability 特點:- 高度:0.55 mm 長度:3.1 mm 產品:Thick Film Resistors SMD 技術:Thick Film 端接類型:SMD/SMT 類型:General Purpose 寬度:1.6 mm 商標:YAGEO 安裝風格:PCB Mount 產品類型:Thick Film Resistors 工廠包裝數(shù)量:5000 子類別:Resistors 單位重量:16.200 mg

Cds通過Rdson放電,Ld、Ls和Lg不參與諧振.

在PFC MOS管的漏極(D極)串聯(lián)磁珠,由于磁珠表現(xiàn)為高頻阻抗特性,用于抑制快速開關機時MOS引起的串聯(lián)諧振。

為了解決因PFC MOS引起的EMC問題,通常在PFC MOS管的漏-源極(D-S極)間并聯(lián)(47~220) pF的高壓電容,為了避免與MOS內部的寄生電感引起振蕩,盡量不增加此電容。若因EMC必需增加時,需與MOS管漏極磁珠同時使用。


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