全新的功率GaN FET具有低至35mΩ典型值的RDS(on)性能
發(fā)布時(shí)間:2021/7/19 8:49:28 訪問次數(shù):247
PI7C9X3G808GP 藉由這項(xiàng) CDEP 功能支持扇出與雙主機(jī)連接。
內(nèi)建的 PCIe 3.0 時(shí)鐘緩沖器可以減少零組件的整體使用數(shù)量，有助于降低 BOM 成本。此整合式緩沖器具低功耗操作特色，成為業(yè)界獨(dú)一無二的產(chǎn)品。
可以使用三種參考頻率選項(xiàng)：通用、獨(dú)立參考無擴(kuò)頻 (SRNS) 及獨(dú)立參考擴(kuò)頻 (SRIS)。
切換器中嵌入了多個(gè)直接內(nèi)存訪問 (DMA) 通道，盡量提高單一主機(jī) (或多部主機(jī)) 與相連的端點(diǎn)之間通訊作業(yè)效率。
制造商:Analog Devices Inc. 產(chǎn)品種類:低壓差穩(wěn)壓器 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-8 輸出電壓:1.8 V 輸出電流:1.5 A 輸出端數(shù)量:1 Output 靜態(tài)電流:1 mA 最大輸入電壓:20 V 最小輸入電壓:2.1 V 輸出類型:Fixed 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 125 C 回動(dòng)電壓:340 mV 系列: 封裝:Reel 高度:1.1 mm 產(chǎn)品:LDO Voltage Regulators 類型:Fast Transient Response LDO Regulator 商標(biāo):Analog Devices 回動(dòng)電壓—最大值:450 mV PSRR/紋波抑制—典型值:63 dB 線路調(diào)整率:2.5 mV 負(fù)載調(diào)節(jié):2 mV 工作電源電流:1 mA 產(chǎn)品類型:LDO Voltage Regulators 2500 子類別:PMIC - Power Management ICs
650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術(shù)和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手器件相比，新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢(shì)。
全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關(guān)模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS®鈦金級(jí)效率認(rèn)證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內(nèi)的太陽能逆變器和伺服驅(qū)動(dòng)器。
該器件在硬開關(guān)和軟開關(guān)電路中均具有出色的性能，為設(shè)計(jì)人員提供極大的靈活性。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
PI7C9X3G808GP 藉由這項(xiàng) CDEP 功能支持扇出與雙主機(jī)連接。
內(nèi)建的 PCIe 3.0 時(shí)鐘緩沖器可以減少零組件的整體使用數(shù)量，有助于降低 BOM 成本。此整合式緩沖器具低功耗操作特色，成為業(yè)界獨(dú)一無二的產(chǎn)品。
可以使用三種參考頻率選項(xiàng)：通用、獨(dú)立參考無擴(kuò)頻 (SRNS) 及獨(dú)立參考擴(kuò)頻 (SRIS)。
切換器中嵌入了多個(gè)直接內(nèi)存訪問 (DMA) 通道，盡量提高單一主機(jī) (或多部主機(jī)) 與相連的端點(diǎn)之間通訊作業(yè)效率。
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650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術(shù)和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手器件相比，新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢(shì)。
全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關(guān)模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS®鈦金級(jí)效率認(rèn)證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內(nèi)的太陽能逆變器和伺服驅(qū)動(dòng)器。
該器件在硬開關(guān)和軟開關(guān)電路中均具有出色的性能，為設(shè)計(jì)人員提供極大的靈活性。
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