半橋可配置成低邊驅(qū)動器或高邊驅(qū)動器.此外,一對半橋可以并行以加倍驅(qū)動電流或配置成全橋,驅(qū)動多達(dá)四個鎖緊閥(雙穩(wěn)態(tài)閥)或四個無刷DC馬達(dá).

支持兩種控制方法:電壓驅(qū)動調(diào)節(jié)(VDR)和電流驅(qū)動調(diào)節(jié)(CDR).在VDR,器件輸出PWM電壓,其占空比采用SPI編程.

對已知電源電壓和螺線管電阻,輸出電流正比于可編程的占空比.

制造商:ROHM Semiconductor 產(chǎn)品種類:電可擦除可編程只讀存儲器 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOP-8 接口類型:3-Wire, Microwire 存儲容量:2 kbit 組織:128 x 16 電源電壓-最小:1.8 V 電源電壓-最大:5.5 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 最大時鐘頻率:500 kHz 訪問時間:200 ns 數(shù)據(jù)保留:40 Year 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:1.5 mm 長度:5 mm 寬度:4.4 mm 商標(biāo):ROHM Semiconductor 工作電源電流:4.5 mA 工作電源電壓:2.5 V, 3.3 V, 5 V 產(chǎn)品類型:EEPROM 編程電壓:1.8 V to 5.5 V 工廠包裝數(shù)量2500 子類別:Memory & Data Storage 零件號別名:BR93L56F-W 單位重量:851 mg

隨著物聯(lián)網(wǎng)的普及，白色家電和工業(yè)設(shè)備的自動化進(jìn)程加速，使得產(chǎn)品的功耗不斷增加，為了有效利用有限的地球資源和電力，對進(jìn)一步降低功耗的需求不斷提高，與此同時，對于負(fù)責(zé)功率轉(zhuǎn)換工作的功率半導(dǎo)體之一IGBT以及配備了IGBT的模塊，也提出了進(jìn)一步降低功耗的要求。

在IGBT IPM的開發(fā)中，為了降低功耗通常會優(yōu)先考慮低損耗，致使產(chǎn)品噪聲特性惡化的情況較多，這就需要改善噪聲特性。

新產(chǎn)品還新增了安裝在電路板上之后的產(chǎn)品識別功能，有助于防止誤裝。

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