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低電壓(1.62V)下高速運(yùn)行(64MHz)實(shí)現(xiàn)超低電流消耗

發(fā)布時(shí)間:2021/7/20 19:00:37 訪問次數(shù):181

Trusted Secure IP 能夠通過專用片上硬件高速執(zhí)行對(duì)稱加密算法 (AES) 和隨機(jī)數(shù)生成,還能用于實(shí)現(xiàn)閃存的安全更新,以及防止未經(jīng)授權(quán)的固件啟動(dòng)(安全啟動(dòng)).

內(nèi)部集成ASIC提供自動(dòng)校準(zhǔn)、數(shù)據(jù)上報(bào),以及I2C接口用于數(shù)據(jù)輸出和器件配置。


TDK  提供了一個(gè)全面的評(píng)估工具包和配套軟件,從而開發(fā)人員可以快速評(píng)估TCE-11101并將TCE-11101集成到他們的下一個(gè)設(shè)計(jì)中。

TCE-11101傳感器和DK-11101開發(fā)工具包現(xiàn)在已面向部分早期合作伙伴和客戶提供。


金屬膜電阻器 - 透孔

3,329

仿真器/模擬器

200

馬達(dá)/運(yùn)動(dòng)/點(diǎn)火控制器和驅(qū)動(dòng)器

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碳膜電阻器 - 透孔

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RE011500KB是基于SOTB™ 工藝技術(shù),在運(yùn)行和待機(jī)模式下以及低電壓(1.62V)下的高速運(yùn)行 (64MHz)時(shí)都可實(shí)現(xiàn)超低電流消耗,而傳統(tǒng)主體硅工藝無法做到這一點(diǎn).

1.5MB 的片上閃存適用于需要存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)的應(yīng)用.

能量采集控制電路,超低功耗 14-bit ADC(約為4uA),低功耗閃存編程(rewriting時(shí)約為 0.6 mA),人機(jī)接口 (HMI) 外圍比如 MIP-LCD 并行中頻和 2D 圖形引擎,同時(shí)支持驅(qū)動(dòng)模擬手表的時(shí)鐘針運(yùn)動(dòng),以及安全功能(Trusted Secure IP)。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

Trusted Secure IP 能夠通過專用片上硬件高速執(zhí)行對(duì)稱加密算法 (AES) 和隨機(jī)數(shù)生成,還能用于實(shí)現(xiàn)閃存的安全更新,以及防止未經(jīng)授權(quán)的固件啟動(dòng)(安全啟動(dòng)).

內(nèi)部集成ASIC提供自動(dòng)校準(zhǔn)、數(shù)據(jù)上報(bào),以及I2C接口用于數(shù)據(jù)輸出和器件配置。


TDK  提供了一個(gè)全面的評(píng)估工具包和配套軟件,從而開發(fā)人員可以快速評(píng)估TCE-11101并將TCE-11101集成到他們的下一個(gè)設(shè)計(jì)中。

TCE-11101傳感器和DK-11101開發(fā)工具包現(xiàn)在已面向部分早期合作伙伴和客戶提供。


金屬膜電阻器 - 透孔

3,329

仿真器/模擬器

200

馬達(dá)/運(yùn)動(dòng)/點(diǎn)火控制器和驅(qū)動(dòng)器

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保險(xiǎn)絲座

6,577

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535

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49

厚膜電阻器 - SMD

3,949

碳膜電阻器 - 透孔

24,741

RE011500KB是基于SOTB™ 工藝技術(shù),在運(yùn)行和待機(jī)模式下以及低電壓(1.62V)下的高速運(yùn)行 (64MHz)時(shí)都可實(shí)現(xiàn)超低電流消耗,而傳統(tǒng)主體硅工藝無法做到這一點(diǎn).

1.5MB 的片上閃存適用于需要存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)的應(yīng)用.

能量采集控制電路,超低功耗 14-bit ADC(約為4uA),低功耗閃存編程(rewriting時(shí)約為 0.6 mA),人機(jī)接口 (HMI) 外圍比如 MIP-LCD 并行中頻和 2D 圖形引擎,同時(shí)支持驅(qū)動(dòng)模擬手表的時(shí)鐘針運(yùn)動(dòng),以及安全功能(Trusted Secure IP)。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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