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瑞薩高度集成的30W技術(shù)與高通尖端的5G技術(shù)相結(jié)合

發(fā)布時(shí)間:2021/7/21 23:46:52 訪問(wèn)次數(shù):208

CRD-06600FF065N是6.6kW高功率密度雙向電動(dòng)汽車車載充電機(jī)參考設(shè)計(jì),采用Wolfspeed公司的630V C3M™SiC MOSFET和Silicon Labs公司的Si8233BB 4A雙路隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,以得到大功率密度電動(dòng)汽車車載充電機(jī)(OBC).

前端AC/DC PFC采用CCM圖騰柱雙向拓?fù)?工作頻率67kHz,雙向DC/DC CLLC諧振轉(zhuǎn)換器,工作頻率148-300 KHz.恒流,恒壓或恒功率模式,獨(dú)特的熱沉設(shè)計(jì)能把熱量從MOSFET,變壓器和電感中散發(fā)出去.主要用在汽車車載充電器.

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerPAK-1212-8 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:8 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:146 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V Qg-柵極電荷:22 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:19.8 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.04 mm 長(zhǎng)度:3.3 mm 寬度:3.3 mm 商標(biāo):Vishay Semiconductors 產(chǎn)品類型:MOSFET 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 零件號(hào)別名:SI7309DN-GE3 單位重量:1 g


與高通強(qiáng)化合作,共同開(kāi)發(fā)先進(jìn)的無(wú)線充電解決方案和開(kāi)放、可靠的無(wú)線電源產(chǎn)品,從而加速量產(chǎn)進(jìn)程。瑞薩高度集成的30W技術(shù)與高通尖端的5G技術(shù)相結(jié)合,旨在為OEM帶來(lái)具備高效無(wú)線充電功能的交鑰匙解決方案,為下一代中端智能手機(jī)提供無(wú)線快充技術(shù)。

與瑞薩電子的合作中,我們致力于打造更加無(wú)縫的無(wú)線用戶體驗(yàn)。面向未來(lái),我們將繼續(xù)攜手開(kāi)發(fā)面向主流移動(dòng)設(shè)備的無(wú)線快充交鑰匙解決方案。



(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

CRD-06600FF065N是6.6kW高功率密度雙向電動(dòng)汽車車載充電機(jī)參考設(shè)計(jì),采用Wolfspeed公司的630V C3M™SiC MOSFET和Silicon Labs公司的Si8233BB 4A雙路隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,以得到大功率密度電動(dòng)汽車車載充電機(jī)(OBC).

前端AC/DC PFC采用CCM圖騰柱雙向拓?fù)?工作頻率67kHz,雙向DC/DC CLLC諧振轉(zhuǎn)換器,工作頻率148-300 KHz.恒流,恒壓或恒功率模式,獨(dú)特的熱沉設(shè)計(jì)能把熱量從MOSFET,變壓器和電感中散發(fā)出去.主要用在汽車車載充電器.

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerPAK-1212-8 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:8 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:146 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V Qg-柵極電荷:22 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:19.8 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.04 mm 長(zhǎng)度:3.3 mm 寬度:3.3 mm 商標(biāo):Vishay Semiconductors 產(chǎn)品類型:MOSFET 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 零件號(hào)別名:SI7309DN-GE3 單位重量:1 g


與高通強(qiáng)化合作,共同開(kāi)發(fā)先進(jìn)的無(wú)線充電解決方案和開(kāi)放、可靠的無(wú)線電源產(chǎn)品,從而加速量產(chǎn)進(jìn)程。瑞薩高度集成的30W技術(shù)與高通尖端的5G技術(shù)相結(jié)合,旨在為OEM帶來(lái)具備高效無(wú)線充電功能的交鑰匙解決方案,為下一代中端智能手機(jī)提供無(wú)線快充技術(shù)。

與瑞薩電子的合作中,我們致力于打造更加無(wú)縫的無(wú)線用戶體驗(yàn)。面向未來(lái),我們將繼續(xù)攜手開(kāi)發(fā)面向主流移動(dòng)設(shè)備的無(wú)線快充交鑰匙解決方案。



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