B3292P/Q容值范圍0.033μF至5.6μF滿足AEC-Q200標準
發(fā)布時間:2021/7/22 7:44:00 訪問次數(shù):420
B3292P/Q系列的容值范圍為0.033 μF至5.6 μF,最大工作電壓為305 V AC,可在嚴苛工況下可靠運行。
該系列滿足標準85°C/85%RH/240VAC/500H的THB測試(高溫高濕負荷測試)要求。
B3292P/Q系列依據(jù)IEC 60384-14:2013/AMD1:2016取得安規(guī)認證并滿足AEC-Q200標準要求。
主要用在衛(wèi)星有效載荷的精密信號處理,衛(wèi)星遙測系統(tǒng),衛(wèi)星推進和軌道控制,衛(wèi)星姿態(tài)控制以及高端工業(yè)和井下鉆探.
制造商:ROHM Semiconductor 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 預(yù)偏置 配置:Dual 晶體管極性:NPN, PNP 典型輸入電阻器:10 kOhms 典型電阻器比率:1 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 直流集電極/Base Gain hfe Min:30 集電極連續(xù)電流:50 mA 峰值直流集電極電流:100 mA Pd-功率耗散:300 mW 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:30 高度:1.1 mm 長度:2.9 mm 寬度:1.6 mm 商標:ROHM Semiconductor 通道數(shù)量:2 Channel 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:Transistors 零件號別名:IMD3A 單位重量:35 mg
主要應(yīng)用
對耐溫要求較高的電磁干擾抑制,比如:汽車電子應(yīng)用
主要特點和優(yōu)勢
更高的工作溫度:最高達125 °C
較寬的電容范圍:0.033 μF 至 5.6 μF
經(jīng)過UL和EN認證,滿足AEC-Q200標準要求

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
B3292P/Q系列的容值范圍為0.033 μF至5.6 μF,最大工作電壓為305 V AC,可在嚴苛工況下可靠運行。
該系列滿足標準85°C/85%RH/240VAC/500H的THB測試(高溫高濕負荷測試)要求。
B3292P/Q系列依據(jù)IEC 60384-14:2013/AMD1:2016取得安規(guī)認證并滿足AEC-Q200標準要求。
主要用在衛(wèi)星有效載荷的精密信號處理,衛(wèi)星遙測系統(tǒng),衛(wèi)星推進和軌道控制,衛(wèi)星姿態(tài)控制以及高端工業(yè)和井下鉆探.
制造商:ROHM Semiconductor 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 預(yù)偏置 配置:Dual 晶體管極性:NPN, PNP 典型輸入電阻器:10 kOhms 典型電阻器比率:1 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 直流集電極/Base Gain hfe Min:30 集電極連續(xù)電流:50 mA 峰值直流集電極電流:100 mA Pd-功率耗散:300 mW 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:30 高度:1.1 mm 長度:2.9 mm 寬度:1.6 mm 商標:ROHM Semiconductor 通道數(shù)量:2 Channel 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:Transistors 零件號別名:IMD3A 單位重量:35 mg
主要應(yīng)用
對耐溫要求較高的電磁干擾抑制,比如:汽車電子應(yīng)用
主要特點和優(yōu)勢
更高的工作溫度:最高達125 °C
較寬的電容范圍:0.033 μF 至 5.6 μF
經(jīng)過UL和EN認證,滿足AEC-Q200標準要求

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