內(nèi)存測(cè)試產(chǎn)能和DRAM測(cè)試儀短缺現(xiàn)象已開(kāi)始浮現(xiàn)，并在供應(yīng)鏈中引發(fā)各種問(wèn)題。許多獨(dú)立的IC測(cè)試公司無(wú)法滿足客戶的大量需求，特別是對(duì)于DDR SDRAM的測(cè)試需求。分析師表示，實(shí)際上，市場(chǎng)上的DDR-1和DDR-2內(nèi)存測(cè)試產(chǎn)能都嚴(yán)重不足。

　　分析師還相信，日本Advantest Corp的新式和先進(jìn)的DRAM測(cè)試儀也是供不應(yīng)求。Advantest是全球最大的存儲(chǔ)器件測(cè)試儀供應(yīng)商。據(jù)稱，DRAM制造商已經(jīng)受到這些問(wèn)題的沖擊。一些生產(chǎn)DRAM的芯片代工廠商也感覺(jué)到了這個(gè)問(wèn)題的影響。

　 “我們發(fā)現(xiàn)測(cè)試產(chǎn)能短缺。我們沒(méi)有足夠的測(cè)試能力�！本A代工廠商中芯國(guó)際的總裁張汝京表示。該公司為Elpida、Infineon等公司生產(chǎn)DRAM，隨后交給包括臺(tái)灣ChipMOS Technologies在內(nèi)的第三方測(cè)試公司。

　　美國(guó)投資銀行雷曼兄弟(Lehman Brothers)的分析師Ted Parmigiani表示，內(nèi)存測(cè)試產(chǎn)能短缺問(wèn)題在第三季度突然出現(xiàn)，但在第四季度變得更加突出。

　　至少有兩個(gè)原因造成測(cè)試產(chǎn)能短缺，首先是先進(jìn)的DRAM由leadframe轉(zhuǎn)向BGA封裝，延長(zhǎng)了總體測(cè)試時(shí)間；其次DDR測(cè)試儀也短缺。

　 （文章來(lái)源：國(guó)際電子商情）