在2004年非易失性存儲(chǔ)技術(shù)研討會(huì)上，德州儀器(TI)與Ramtron國(guó)際公司透露了更多有關(guān)雙方合作開(kāi)發(fā)鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)的細(xì)節(jié)。兩家公司預(yù)計(jì)介紹一種采用130納米工藝技術(shù)的“功能性(functional)”嵌入FRAM(eFRAM)。這種含五層金屬的技術(shù)還將銅互連和硅酸氟(FSG)作為材料的備選。

　　TI與Ramtron據(jù)稱將攜手合作，共同開(kāi)發(fā)4Mb FRAM。TI研發(fā)FRAM技術(shù)已有數(shù)年，但該公司稱其非易失性存儲(chǔ)器項(xiàng)目已走上正軌。

　 “我們?nèi)匀挥?jì)劃2005年將產(chǎn)品上市，”TI的一位發(fā)言人表示。最初，TI將在Ramtron的一處代工廠制造FRAM。首批部件定于2005年初交付。隨后，TI預(yù)計(jì)將到2005年底生產(chǎn)獨(dú)立的eFRAM。

　　TI及Ramtron稱eFRAM較嵌入閃存、DRAM及SRAM具備幾大優(yōu)勢(shì)。該技術(shù)“提供快速寫入時(shí)間(<35-ns)和低功耗非易失性數(shù)據(jù)保持。而且，eFRAM功能更具成本效益，因?yàn)閱卧叽绫萐RAM單元小得多�！�